YGW40N65F1A2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: YGW40N65F1A2
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 188
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 80
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 100
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для YGW40N65F1A2
YGW40N65F1A2 Datasheet (PDF)
ygw40n65f1a2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
YGW40N65F1A2 650V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 40 A Cimproved reliability V I =40A 1.80 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in
ygw40n65f1a1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
YGW40N65F1A1 650V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 40 A Cimproved reliability V I =40A 1.80 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in
ygw40n65f1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
YGW40N65F1 650V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 40 A Cimproved reliability V I =40A 1.80 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V
ygw40n65f1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
YGW40N65F1 650V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 40 A Cimproved reliability V I =40A 1.80 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
![YGW40N65F1A2](https://alltransistors.com/images/us.png)
![YGW40N65F1A2](https://alltransistors.com/images/es.png)
![YGW40N65F1A2](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ