Справочник IGBT. YGW40N65F1A2

 

YGW40N65F1A2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: YGW40N65F1A2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 90 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для YGW40N65F1A2

 

 

YGW40N65F1A2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  cn luxin semi
 ygw40n65f1a2.pdf

YGW40N65F1A2 YGW40N65F1A2

YGW40N65F1A2 650V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 40 A Cimproved reliability V I =40A 1.80 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in

 3.1. Size:412K  cn luxin semi
 ygw40n65f1a1.pdf

YGW40N65F1A2 YGW40N65F1A2

YGW40N65F1A1 650V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 40 A Cimproved reliability V I =40A 1.80 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in

 4.1. Size:599K  1
 ygw40n65f1.pdf

YGW40N65F1A2 YGW40N65F1A2

YGW40N65F1 650V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 40 A Cimproved reliability V I =40A 1.80 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V

 4.2. Size:412K  cn luxin semi
 ygw40n65f1.pdf

YGW40N65F1A2 YGW40N65F1A2

YGW40N65F1 650V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 40 A Cimproved reliability V I =40A 1.80 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V

Другие IGBT... YGW25N120F1A1 , YGW25N120T1 , YGW25N120U2 , YGW25N135F1A , YGW40N120F2 , YGW40N120T2 , YGW40N120T3 , YGW40N65F1A1 , CRG15T120BNR3S , YGW50N120FP , YGW50N65F1A , YGW50N65T1 , YGW60N65F1A2 , YGW60N65T1 , YGW75N65F1 , YGW75N65FP , YGW75N65HP .

 

 
Back to Top