YGW60N65T1 - аналоги и описание IGBT

 

YGW60N65T1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: YGW60N65T1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 79 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для YGW60N65T1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

YGW60N65T1 даташит

 ..1. Size:406K  cn luxin semi
ygw60n65t1.pdfpdf_icon

YGW60N65T1

YGW60N65T1 650V /60A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 60 A C improved reliability V I =60A 1.85 V Trench-Stop Technology offering CE(SAT) C High speed switching High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V

 6.1. Size:522K  1
ygw60n65f1a1.pdfpdf_icon

YGW60N65T1

YGW60N65F1A1 650V /60A Trench Field Stop IGBT Lu-Semi 650V Trench Field Stop IGBTs offer V 650 V CE low switching losses, high energy efficiency I 60 A C and high avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =60A 1.85 V CE(SAT) C FEATURES High breakdown voltage up to 650V for improved reliability Trench-Stop Technology of

 6.2. Size:422K  cn luxin semi
ygw60n65f1a1.pdfpdf_icon

YGW60N65T1

YGW60N65F1A1 650V /60A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 60 A C improved reliability V I =60A 1.85 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering High speed switching High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in

 6.3. Size:433K  cn luxin semi
ygw60n65f1a2.pdfpdf_icon

YGW60N65T1

YGW60N65F1A2 650V /60A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 60 A C improved reliability V I =60A 1.85 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering High speed switching High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in

Другие IGBT... YGW40N120T2 , YGW40N120T3 , YGW40N65F1A1 , YGW40N65F1A2 , YGW50N120FP , YGW50N65F1A , YGW50N65T1 , YGW60N65F1A2 , JT075N065WED , YGW75N65F1 , YGW75N65FP , YGW75N65HP , YGW75N65T1 , NCE07T60BI , NCE07TD60BF , NCE07TD60BD , NCE07TD60B .

History: VS-GP300TD60S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.