YGW75N65F1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: YGW75N65F1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 500
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.7
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 40
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 200
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для YGW75N65F1
YGW75N65F1 Datasheet (PDF)
ygw75n65f1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
YGW75N65F1 650V /75A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 75 A Cimproved reliability V I =75A 1.7 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 5s Low V CEsat Easy parallel switching capability due
ygw75n65fp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
YGW75N65FP 650V /75A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 75 A Cimproved reliability V I =75A 1.8 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 5s Low V CEsat Easy parallel switching capability due
ygw75n65hp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Preliminary YGW75N65HP 650V /75A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 75 A Cimproved reliability V I =75A 1.65 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 5s Low V CEsat Easy parallel switching c
ygw75n65t1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
YGW75N65T1 650V /75A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 75 A Cimproved reliability V I =75A 1.7 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 5s Low V CEsat Easy parallel switching capability due
Другие IGBT... YGW40N120T3 , YGW40N65F1A1 , YGW40N65F1A2 , YGW50N120FP , YGW50N65F1A , YGW50N65T1 , YGW60N65F1A2 , YGW60N65T1 , MBQ50T65FESC , YGW75N65FP , YGW75N65HP , YGW75N65T1 , NCE07T60BI , NCE07TD60BF , NCE07TD60BD , NCE07TD60B , NCE07TD60BI .
![YGW75N65F1](https://alltransistors.com/images/us.png)
![YGW75N65F1](https://alltransistors.com/images/es.png)
![YGW75N65F1](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ