STGB10NC60KDT4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGB10NC60KDT4
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: GB10NC60KD
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 65
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 20
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 6
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 46
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 19
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для STGB10NC60KDT4
STGB10NC60KDT4 Datasheet (PDF)
stgb10nc60kdt4 stgd10nc60kdt4 stgf10nc60kd stgp10nc60kd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STGB10NC60KDT4, STGD10NC60KDT4, STGF10NC60KD, STGP10NC60KD 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT Datasheet - production data Features Lower on voltage drop (V ) CE(sat) Lower C / C ratio (no cross-conduction RES IESsusceptibility) Very soft ultra fast recovery antiparallel diode Short-circuit withstand time 10 s Applications High frequency motor
stgb10nc60kd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STGB10NC60KD, STGD10NC60KDSTGF10NC60KD, STGP10NC60KD10 A, 600 V short-circuit rugged IGBTFeaturesTABTAB Lower on voltage drop (VCE(sat))3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 131susceptibility)DPAK Very soft ultra fast recovery antiparallel diode D2PAKTAB Short-circuit withstand time 10sDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerM
stgb10nc60kd stgd10nc60kd stgf10nc60kd stgp10nc60kd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STGB10NC60KD, STGD10NC60KDSTGF10NC60KD, STGP10NC60KD10 A, 600 V short-circuit rugged IGBTFeaturesTABTAB Lower on voltage drop (VCE(sat))3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 131susceptibility)DPAK Very soft ultra fast recovery antiparallel diode D2PAKTAB Short-circuit withstand time 10sDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerM
stgb10nc60k stgp10nc60k stgd10nc60k.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STGB10NC60K - STGD10NC60KSTGP10NC60KN-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAKShort circuit rated PowerMESH IGBTGeneral featuresICVCE(sat)MaxType VCES@25C @100CSTGB10NC60K 600V
stgb10nc60k.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STGB10NC60K10 A, 600 V short-circuit rugged IGBTFeatures Low on voltage drop (VCESAT) Short-circuit withstand time 10 sTABApplications High frequency motor controls31 SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologiesDPAK Motor drivesDescriptionThis device utilizes the advanced Power MESH Figure 1. Internal schematic diagramprocess r
Другие IGBT... NCE40TS120VTP , NCE60TD60BP , NCE60TD60BT , NCE75TD120VTP , NCE75TS120VTP , NCE80TD60BP , NCE80TD60BT , STGB10M65DF2 , IRGP4062D , STGD10NC60KDT4 , STGB14NC60KDT4 , STGB15M65DF2 , STGB19NC60HDT4 , STGB19NC60KDT4 , STGB20H65DFB2 , STGB20M65DF2 , STGB30H60DFB .
![STGB10NC60KDT4](https://alltransistors.com/images/us.png)
![STGB10NC60KDT4](https://alltransistors.com/images/es.png)
![STGB10NC60KDT4](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ