STGB14NC60KDT4 - аналоги и описание IGBT

 

STGB14NC60KDT4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: STGB14NC60KDT4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 8.5 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 86 pF

Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для STGB14NC60KDT4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGB14NC60KDT4 даташит

 ..1. Size:1461K  st
stgb14nc60kdt4 stgf14nc60kd stgp14nc60kd.pdfpdf_icon

STGB14NC60KDT4

STGB14NC60KDT4, STGF14NC60KD, STGP14NC60KD 14 A, 600 V short-circuit rugged IGBT Datasheet - production data Features TAB Low on voltage drop (V ) CE(sat) Low C / C ratio (no cross-conduction res ies 3 1 susceptibility) D2 PAK 3 Very soft ultrafast recovery antiparallel diode 2 1 Short-circuit withstand time 10 s TO-220FP TAB Applications H

 2.1. Size:537K  st
stgb14nc60kd stgf14nc60kd stgp14nc60kd.pdfpdf_icon

STGB14NC60KDT4

STGB14NC60KD STGF14NC60KD, STGP14NC60KD 14 A, 600 V - short-circuit rugged IGBT Features TAB TAB 2 Short circuit withstand time 10 s. Low on-voltage drop (VCE(sat)) 3 Low Cres / Cies ratio (no cross conduction 3 1 2 1 susceptibility) D PAK TO-220 Switching losses include diode recovery energy Very soft ultra fast recovery antiparallel diode 3 2 1 App

 2.2. Size:540K  st
stgb14nc60kd.pdfpdf_icon

STGB14NC60KDT4

STGB14NC60KD STGF14NC60KD, STGP14NC60KD 14 A, 600 V - short-circuit rugged IGBT Features TAB TAB 2 Short circuit withstand time 10 s. Low on-voltage drop (VCE(sat)) 3 Low Cres / Cies ratio (no cross conduction 3 1 2 1 susceptibility) D PAK TO-220 Switching losses include diode recovery energy Very soft ultra fast recovery antiparallel diode 3 2 1 App

 3.1. Size:439K  st
stgb14nc60k stgd14nc60k.pdfpdf_icon

STGB14NC60KDT4

STGB14NC60K STGD14NC60K N-channel 14A - 600V -DPAK - D2PAK Short circuit rated PowerMESH IGBT General features IC VCE(sat) Type VCES (Max)@ 25 C @100 C STGB14NC60K 600V

Другие IGBT... NCE60TD60BT , NCE75TD120VTP , NCE75TS120VTP , NCE80TD60BP , NCE80TD60BT , STGB10M65DF2 , STGB10NC60KDT4 , STGD10NC60KDT4 , CRG40T65AK5HD , STGB15M65DF2 , STGB19NC60HDT4 , STGB19NC60KDT4 , STGB20H65DFB2 , STGB20M65DF2 , STGB30H60DFB , STGP30H60DFB , STGB3HF60HD .

History: TA49119 | TA49048

 

 

 

 

↑ Back to Top
.