Справочник IGBT. STGP5H60DF

 

STGP5H60DF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGP5H60DF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: GP5H60DF
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 88
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 10
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.5
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.9
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 10.8
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 34
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 38
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для STGP5H60DF

 

 

STGP5H60DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:862K  st
 stgb5h60df stgd5h60df stgf5h60df stgp5h60df.pdf

STGP5H60DF STGP5H60DF

STGB5H60DF, STGD5H60DF STGF5H60DF, STGP5H60DFDatasheetTrench gate field-stop 600 V, 5 A high speed H series IGBTFeaturesTABTAB High-speed switching32311DPAK2 Tight parameter distributionD PAK Safe parallelingTAB Low thermal resistance Short-circuit rated3231 Ultrafast soft recovery antiparallel diode21TO-220TO-220FPAppl

Другие IGBT... STGB3HF60HD , STGD3HF60HDT4 , STGF3HF60HD , STGP3HF60HD , STGB40H65FB , STGB5H60DF , STGD5H60DF , STGF5H60DF , RJP30E2DPP-M0 , STGB6NC60HDT4 , STGD4M65DF2 , STGD6M65DF2 , STGD7NC60HT4 , STGF15M65DF2 , STGF20M65DF2 , STGF30M65DF2 , STGWA40H65FB .

 

 
Back to Top