Справочник IGBT. STGP10M65DF2

 

STGP10M65DF2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGP10M65DF2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G10M65DF2
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 7.4 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 63 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 28 nC
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STGP10M65DF2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGP10M65DF2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:781K  st
stgp10m65df2.pdfpdf_icon

STGP10M65DF2

STGP10M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low-loss in TO-220 package Datasheet - production data Features 6 s of short-circuit withstand time V = 1.55 V (typ.) @ I = 10 A CE(sat) CTAB Tight parameter distribution Safer paralleling Positive V temperature coefficient CE(sat) Low thermal resistance 3 Soft and very fast

 8.1. Size:1722K  st
stgp10h60df.pdfpdf_icon

STGP10M65DF2

STGB10H60DF, STGF10H60DF, STGP10H60DFTrench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speedDatasheet - production dataFeaturesTAB High speed switching Tight parameters distribution31 Safe parallelingDPAK Low thermal resistanceTAB Short-circuit rated Ultrafast soft recovery antiparallel diodeApplications332211 Motor cont

 8.2. Size:288K  st
stgp10nb60s.pdfpdf_icon

STGP10M65DF2

STGP10NB60SN-CHANNEL 10A - 600V TO-220PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGP10NB60S 600 V

 8.3. Size:607K  st
stgb10nc60kd stgd10nc60kd stgf10nc60kd stgp10nc60kd.pdfpdf_icon

STGP10M65DF2

STGB10NC60KD, STGD10NC60KDSTGF10NC60KD, STGP10NC60KD10 A, 600 V short-circuit rugged IGBTFeaturesTABTAB Lower on voltage drop (VCE(sat))3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 131susceptibility)DPAK Very soft ultra fast recovery antiparallel diode D2PAKTAB Short-circuit withstand time 10sDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerM

Другие IGBT... STGB6NC60HDT4 , STGD4M65DF2 , STGD6M65DF2 , STGD7NC60HT4 , STGF15M65DF2 , STGF20M65DF2 , STGF30M65DF2 , STGWA40H65FB , RJP63F3DPP-M0 , STGP20M65DF2 , STGP30M65DF2 , STGW100H65FB2-4 , STGW10M65DF2 , STGWA30H60DFB , STGW30M65DF2 , STGWA30M65DF2 , STGWA60V60DF .

 

 
Back to Top

 


 
.