STGP30M65DF2 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: STGP30M65DF2
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 258 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 13.4 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 143 pF
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для STGP30M65DF2
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGP30M65DF2 даташит
stgp30m65df2.pdf
STGP30M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 30 A low-loss in a TO-220 package Datasheet - production data Features 6 s of minimum short-circuit withstand time V = 1.55 V (typ.) @ I = 30 A CE(sat) C TAB Tight parameters distribution Safer paralleling Low thermal resistance Soft and very fast recovery antiparallel diode 3 2 1 Appl
stgf30nc60s stgp30nc60s stgwf30nc60s.pdf
STGF30NC60S STGP30NC60S, STGWF30NC60S 30 A, 600 V, fast IGBT Features TAB Optimized performance for medium operating frequencies up to 5 kHz in hard switching Low on-voltage drop (VCE(sat)) 3 3 2 High current capability 2 1 1 TO-220 TO-220FP Application 1 1 1 3 Motor drive 2 1 TO-3PF Description This device utilizes the advanced PowerMESHTM process result
stgb30v60df stgp30v60df stgw30v60df stgwt30v60df.pdf
STGB30V60DF, STGP30V60DF, STGW30V60DF, STGWT30V60DF Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed Datasheet - production data TAB Features TAB Maximum junction temperature TJ = 175 C Tail-less switching off 3 3 2 1 VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 30 A 1 D PAK TO-220 Tight parameters distribution TAB Safe paralleling Low therma
stgb30nc60k stgp30nc60k.pdf
STGB30NC60K STGP30NC60K 30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT Features Low on-voltage drop (VCE(sat)) Low Cres / Cies ratio (no cross conduction susceptibility) Short circuit withstand time 10 s 3 3 2 Applications 1 1 D PAK TO-220 High frequency inverters Motor drivers Description This IGBT utilizes the advanced PowerMESH process resulting in an
Другие IGBT... STGD6M65DF2 , STGD7NC60HT4 , STGF15M65DF2 , STGF20M65DF2 , STGF30M65DF2 , STGWA40H65FB , STGP10M65DF2 , STGP20M65DF2 , RJP63F3DPP-M0 , STGW100H65FB2-4 , STGW10M65DF2 , STGWA30H60DFB , STGW30M65DF2 , STGWA30M65DF2 , STGWA60V60DF , STGW75H65DFB2-4 , STGW75M65DF2 .
History: STGW20NB60HD | STGB3NB60SD
History: STGW20NB60HD | STGB3NB60SD
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n3055 transistor equivalent | 2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970











