Справочник IGBT. STGWA30H60DFB

 

STGWA30H60DFB - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGWA30H60DFB
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: GWA30H60DFB
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 260
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.55
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 14.6
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 101
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 149
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для STGWA30H60DFB

 

 

STGWA30H60DFB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:698K  st
 stgw30h60dfb stgwa30h60dfb stgwt30h60dfb.pdf

STGWA30H60DFB STGWA30H60DFB

STGW30H60DFB, STGWA30H60DFB, STGWT30H60DFBDatasheetTrench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBTFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C3 3 High speed switching series2 21 1 Minimized tail currentTO-247TO-247 long leads Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 ATAB Tight parameter distribution Safe para

 7.1. Size:419K  st
 stgwa30n120kd.pdf

STGWA30H60DFB STGWA30H60DFB

STGW30N120KDSTGWA30N120KD30 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diodeFeatures Low on-losses High current capability Low gate charge Short circuit withstand time 10 s IGBT co-packaged with Ultrafast free-wheeling 3diode21ApplicationsTO-247 Motor controlDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThis high voltage and short

 7.2. Size:321K  st
 stgwa30ih65df.pdf

STGWA30H60DFB STGWA30H60DFB

STGWA30IH65DFDatasheetTrench gate field-stop 650 V, 30 A, soft-switching IH series IGBT in a TO247 long leads packageFeatures Designed for soft commutation only Maximum junction temperature: TJ = 175 C VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A Minimized tail current Tight parameter distribution Low thermal resistance Low drop voltage freewheeling co-pa

 7.3. Size:562K  st
 stgw30m65df2 stgwa30m65df2.pdf

STGWA30H60DFB STGWA30H60DFB

STGW30M65DF2, STGWA30M65DF2 Trench gate field-stop IGBTs, M series 650 V, 30 A low-loss in TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features 6 s of minimum short-circuit withstand time V = 1.55 V (typ.) @ I = 30 A CE(sat) C Tight parameters distribution Safer paralleling Low thermal resistance Soft and very fast recovery

Другие IGBT... STGF20M65DF2 , STGF30M65DF2 , STGWA40H65FB , STGP10M65DF2 , STGP20M65DF2 , STGP30M65DF2 , STGW100H65FB2-4 , STGW10M65DF2 , IRG7IC28U , STGW30M65DF2 , STGWA30M65DF2 , STGWA60V60DF , STGW75H65DFB2-4 , STGW75M65DF2 , STGWA75M65DF2 , STGWA100H65DFB2 , STGWA20H65DFB2 .

History: FGH50T65SQD

 

 
Back to Top