Справочник IGBT. STGWA30H60DFB

 

STGWA30H60DFB - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGWA30H60DFB
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: GWA30H60DFB
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 14.6 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 101 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 149 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для STGWA30H60DFB

 

 

STGWA30H60DFB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:698K  st
stgw30h60dfb stgwa30h60dfb stgwt30h60dfb.pdf

STGWA30H60DFB
STGWA30H60DFB

STGW30H60DFB, STGWA30H60DFB, STGWT30H60DFBDatasheetTrench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBTFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C3 3 High speed switching series2 21 1 Minimized tail currentTO-247TO-247 long leads Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 ATAB Tight parameter distribution Safe para

 7.1. Size:419K  st
stgwa30n120kd.pdf

STGWA30H60DFB
STGWA30H60DFB

STGW30N120KDSTGWA30N120KD30 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diodeFeatures Low on-losses High current capability Low gate charge Short circuit withstand time 10 s IGBT co-packaged with Ultrafast free-wheeling 3diode21ApplicationsTO-247 Motor controlDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThis high voltage and short

 7.2. Size:321K  st
stgwa30ih65df.pdf

STGWA30H60DFB
STGWA30H60DFB

STGWA30IH65DFDatasheetTrench gate field-stop 650 V, 30 A, soft-switching IH series IGBT in a TO247 long leads packageFeatures Designed for soft commutation only Maximum junction temperature: TJ = 175 C VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A Minimized tail current Tight parameter distribution Low thermal resistance Low drop voltage freewheeling co-pa

 7.3. Size:562K  st
stgw30m65df2 stgwa30m65df2.pdf

STGWA30H60DFB
STGWA30H60DFB

STGW30M65DF2, STGWA30M65DF2 Trench gate field-stop IGBTs, M series 650 V, 30 A low-loss in TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features 6 s of minimum short-circuit withstand time V = 1.55 V (typ.) @ I = 30 A CE(sat) C Tight parameters distribution Safer paralleling Low thermal resistance Soft and very fast recovery

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top