STGWA20IH65DF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGWA20IH65DF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: G20IH65DF
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 159 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 62 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 56 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STGWA20IH65DF
STGWA20IH65DF Datasheet (PDF)
stgwa20ih65df.pdf
STGWA20IH65DFDatasheetTrench gate field-stop 650 V, 20 A, soft-switching IH series IGBT in a TO247 long leads packageFeatures Designed for soft-commutation Maximum junction temperature: TJ = 175 C VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A Minimized tail current Tight parameter distribution Low thermal resistance Low drop voltage freewheeling co-package
stgwa20m65df2.pdf
STGWA20M65DF2DatasheetTrench gate field-stop, 650 V, 20 A, M series low-loss IGBTFeatures High short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A Tight parameters distribution Safer paralleling Low thermal resistance Soft and very fast recovery antiparallel diodeC (2)Applications Motor control UPS PFCG (1) General-purp
stgwa20h65dfb2.pdf
STGWA20H65DFB2DatasheetTrench gate field-stop, 650 V, 20 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247 long leads packageFeatures Maximum junction temperature : TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A Very fast and soft recovery co-packaged diode Minimized tail current Tight parameter distribution Low thermal resistance Positive VCE(sat) te
stgwa20hp65fb2.pdf
STGWA20HP65FB2DatasheetTrench gate field-stop, 650 V, 20 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247 long leads packageFeatures Maximum junction temperature : TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A Co-packaged protection diode Minimized tail current Tight parameter distribution Low thermal resistance Positive VCE(sat) temperature coeffic
Другие IGBT... STGWA30M65DF2 , STGWA60V60DF , STGW75H65DFB2-4 , STGW75M65DF2 , STGWA75M65DF2 , STGWA100H65DFB2 , STGWA20H65DFB2 , STGWA20HP65FB2 , TGAN60N60F2DS , STGWA20M65DF2 , STGWA30IH65DF , STGWA40H65DFB , STGWA40H65DFB2 , STGWA40HP65FB2 , STGWA50HP65FB2 , STGWA50M65DF2 , STGWA75H65DFB2 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2