STGWA20IH65DF - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: STGWA20IH65DF
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 159 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 62 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STGWA20IH65DF
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGWA20IH65DF даташит
stgwa20ih65df.pdf
STGWA20IH65DF Datasheet Trench gate field-stop 650 V, 20 A, soft-switching IH series IGBT in a TO 247 long leads package Features Designed for soft-commutation Maximum junction temperature TJ = 175 C VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A Minimized tail current Tight parameter distribution Low thermal resistance Low drop voltage freewheeling co-package
stgwa20m65df2.pdf
STGWA20M65DF2 Datasheet Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, M series low-loss IGBT Features High short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A Tight parameters distribution Safer paralleling Low thermal resistance Soft and very fast recovery antiparallel diode C (2) Applications Motor control UPS PFC G (1) General-purp
stgwa20h65dfb2.pdf
STGWA20H65DFB2 Datasheet Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO 247 long leads package Features Maximum junction temperature TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A Very fast and soft recovery co-packaged diode Minimized tail current Tight parameter distribution Low thermal resistance Positive VCE(sat) te
stgwa20hp65fb2.pdf
STGWA20HP65FB2 Datasheet Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO 247 long leads package Features Maximum junction temperature TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A Co-packaged protection diode Minimized tail current Tight parameter distribution Low thermal resistance Positive VCE(sat) temperature coeffic
Другие IGBT... STGWA30M65DF2 , STGWA60V60DF , STGW75H65DFB2-4 , STGW75M65DF2 , STGWA75M65DF2 , STGWA100H65DFB2 , STGWA20H65DFB2 , STGWA20HP65FB2 , RJH30E2DPP , STGWA20M65DF2 , STGWA30IH65DF , STGWA40H65DFB , STGWA40H65DFB2 , STGWA40HP65FB2 , STGWA50HP65FB2 , STGWA50M65DF2 , STGWA75H65DFB2 .
History: VS-GB90SA120U | SKM100GAX173D | SII75N12 | TGAN40S160FD | SRE40N065FSUDG | SGL40N150D | YGW50N120FP
History: VS-GB90SA120U | SKM100GAX173D | SII75N12 | TGAN40S160FD | SRE40N065FSUDG | SGL40N150D | YGW50N120FP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent




