Справочник IGBT. STGWA20M65DF2

 

STGWA20M65DF2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGWA20M65DF2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G20M65DF2
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 166
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.55
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 10.8
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 95
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 63
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для STGWA20M65DF2

 

 

STGWA20M65DF2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:523K  st
 stgwa20m65df2.pdf

STGWA20M65DF2 STGWA20M65DF2

STGWA20M65DF2DatasheetTrench gate field-stop, 650 V, 20 A, M series low-loss IGBTFeatures High short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A Tight parameters distribution Safer paralleling Low thermal resistance Soft and very fast recovery antiparallel diodeC (2)Applications Motor control UPS PFCG (1) General-purp

 7.1. Size:539K  st
 stgwa20h65dfb2.pdf

STGWA20M65DF2 STGWA20M65DF2

STGWA20H65DFB2DatasheetTrench gate field-stop, 650 V, 20 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247 long leads packageFeatures Maximum junction temperature : TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A Very fast and soft recovery co-packaged diode Minimized tail current Tight parameter distribution Low thermal resistance Positive VCE(sat) te

 7.2. Size:369K  st
 stgwa20hp65fb2.pdf

STGWA20M65DF2 STGWA20M65DF2

STGWA20HP65FB2DatasheetTrench gate field-stop, 650 V, 20 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247 long leads packageFeatures Maximum junction temperature : TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A Co-packaged protection diode Minimized tail current Tight parameter distribution Low thermal resistance Positive VCE(sat) temperature coeffic

 7.3. Size:321K  st
 stgwa20ih65df.pdf

STGWA20M65DF2 STGWA20M65DF2

STGWA20IH65DFDatasheetTrench gate field-stop 650 V, 20 A, soft-switching IH series IGBT in a TO247 long leads packageFeatures Designed for soft-commutation Maximum junction temperature: TJ = 175 C VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A Minimized tail current Tight parameter distribution Low thermal resistance Low drop voltage freewheeling co-package

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top