Справочник IGBT. STGWA20M65DF2

 

STGWA20M65DF2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGWA20M65DF2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G20M65DF2
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 10.8 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 95 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 63 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для STGWA20M65DF2

 

 

STGWA20M65DF2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:523K  st
 stgwa20m65df2.pdf

STGWA20M65DF2 STGWA20M65DF2

STGWA20M65DF2DatasheetTrench gate field-stop, 650 V, 20 A, M series low-loss IGBTFeatures High short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A Tight parameters distribution Safer paralleling Low thermal resistance Soft and very fast recovery antiparallel diodeC (2)Applications Motor control UPS PFCG (1) General-purp

 7.1. Size:539K  st
 stgwa20h65dfb2.pdf

STGWA20M65DF2 STGWA20M65DF2

STGWA20H65DFB2DatasheetTrench gate field-stop, 650 V, 20 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247 long leads packageFeatures Maximum junction temperature : TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A Very fast and soft recovery co-packaged diode Minimized tail current Tight parameter distribution Low thermal resistance Positive VCE(sat) te

 7.2. Size:369K  st
 stgwa20hp65fb2.pdf

STGWA20M65DF2 STGWA20M65DF2

STGWA20HP65FB2DatasheetTrench gate field-stop, 650 V, 20 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247 long leads packageFeatures Maximum junction temperature : TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A Co-packaged protection diode Minimized tail current Tight parameter distribution Low thermal resistance Positive VCE(sat) temperature coeffic

 7.3. Size:321K  st
 stgwa20ih65df.pdf

STGWA20M65DF2 STGWA20M65DF2

STGWA20IH65DFDatasheetTrench gate field-stop 650 V, 20 A, soft-switching IH series IGBT in a TO247 long leads packageFeatures Designed for soft-commutation Maximum junction temperature: TJ = 175 C VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A Minimized tail current Tight parameter distribution Low thermal resistance Low drop voltage freewheeling co-package

Другие IGBT... STGWA60V60DF , STGW75H65DFB2-4 , STGW75M65DF2 , STGWA75M65DF2 , STGWA100H65DFB2 , STGWA20H65DFB2 , STGWA20HP65FB2 , STGWA20IH65DF , SGT40N60FD2PN , STGWA30IH65DF , STGWA40H65DFB , STGWA40H65DFB2 , STGWA40HP65FB2 , STGWA50HP65FB2 , STGWA50M65DF2 , STGWA75H65DFB2 , STGWT30HP65FB .

 

 
Back to Top