Справочник IGBT. FGA25N120ANTDTU

 

FGA25N120ANTDTU - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGA25N120ANTDTU
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 312
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 60
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 130
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 200
   Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для FGA25N120ANTDTU

 

 

FGA25N120ANTDTU Datasheet (PDF)

 0.1. Size:653K  fairchild semi
fga25n120antdtu f109.pdf

FGA25N120ANTDTU
FGA25N120ANTDTU

uJuly, 2007FGA25N120ANTD/FGA25N120ANTD_F109tm1200V NPT Trench IGBTFeatures Description NPT Trench Technology, Positive temperature coefficient Using Fairchild's proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction Low saturation voltage: VCE(sat), typ = 2.0V and switching performances, high avalanche ruggedness and @ IC

 0.2. Size:1382K  onsemi
fga25n120antdtu.pdf

FGA25N120ANTDTU
FGA25N120ANTDTU

FGA25N120ANTDTU1200 V, 25 A NPT Trench IGBTFeatures Description NPT Trench Technology, Positive Temperature CoefficientUsing ON Semiconductor's proprietary trench design and Low Saturation Voltage: VCE(sat), typ = 2.0 V advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers @ IC = 25 A and TC = 25C superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness an

 5.1. Size:687K  fairchild semi
fga25n120ftd.pdf

FGA25N120ANTDTU
FGA25N120ANTDTU

February 2009FGA25N120FTDtm1200V, 25A Trench IGBTFeatures Field stop trench technologyGeneral Description High speed switchingUsing advanced field stop trench technology, Fairchilds 1200V Low saturation voltage: VCE(sat) =1.6V @ IC = 25Atrench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- High input impedancemances, and easy parallel operation wit

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top