FGB20N60SFD-F085 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FGB20N60SFD-F085
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 208
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 16
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 110
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 63
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для FGB20N60SFD-F085
FGB20N60SFD-F085 Datasheet (PDF)
fgb20n60sfd-f085.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
FGB20N60SFD-F085 600V, 20A Field Stop IGBTGeneral DescriptionFeatures Using novel field-stop IGBT t echnology, ON Semiconductors High current capabilitynew series of field-stop IGBTs offers the optimum Low saturation voltage: VCE(sat) = 2.2V @ IC = 20Aperformance for automotive chargers, inverters, and other applications where low conduction and switching losses are
fgb20n60sfd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
March 2015FGB20N60SFD600 V, 20 A Field Stop IGBTFeatures Applications High Current Capability Solar Inverter, UPS, Welder, PFC Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 20 AGeneral Description High Input Impedance Fast Switching : EOFF = 8 uJ/AUsing novel field stop IGBT technology, Fairchilds field stopIGBTs offer the optimum performance for solar i
fgb20n60sf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
March 2015FGB20N60SF600 V, 20 A Field Stop IGBTFeatures General Description High Current Capability Using novel field stop IGBT technology, Fairchilds field stop IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, Low Saturation Voltage: VCE(sat) =2.2 V @ IC = 20 Awelder and PFC applications where low conduction and switch- High Input Impedanceing losses
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
![FGB20N60SFD-F085](https://alltransistors.com/images/us.png)
![FGB20N60SFD-F085](https://alltransistors.com/images/es.png)
![FGB20N60SFD-F085](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ