FGI3040G2-F085 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FGI3040G2-F085
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 150
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 400
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 10
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 41
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.15
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 2.2
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 1900
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 21
Тип корпуса: I2PAK
Аналог (замена) для FGI3040G2-F085
FGI3040G2-F085 Datasheet (PDF)
fgb3040g2-f085 fgd3040g2-f085 fgp3040g2-f085 fgi3040g2-f085.pdf
ON SemiconductorIs NowTo learn more about onsemi, please visit our website at www.onsemi.comonsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ