FGD3440G2-F085 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FGD3440G2-F085
Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 10 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 26.9 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 2.2 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 2000 nS
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 24 nC
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для FGD3440G2-F085
FGD3440G2-F085 Datasheet (PDF)
fgb3440g2-f085 fgd3440g2-f085 fgp3440g2-f085.pdf
ON SemiconductorIs NowTo learn more about onsemi, please visit our website at www.onsemi.comonsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,
fgd3440g2-f085v.pdf
EcoSPARK) 2 N-ChannelIgnition IGBT335 mJ, 400 VFGD3440G2-F085VFeatures SCIS Energy = 335 mJ at TJ = 25Cwww.onsemi.com Logic Level Gate Drive AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantCOLLECTORApplications Automotive Ignition Coil Driver CircuitsR1 High Current Ignition SystemGATE Coil on Plug Applic
Другие IGBT... FGI3040G2-F085 , FGB3040G2-F085 , FGD3040G2-F085 , FGP3040G2-F085 , FGB3056-F085 , FGB3236-F085 , FGI3236-F085 , FGB3440G2-F085 , YGW75N65F1 , FGP3440G2-F085 , FGB40T65SPD-F085 , FGB5N60UNDF , FGB7N60UNDF , FGD2736G3-F085 , FGD2736G3-F085V , FGD3040G2-F085C , FGB3040G2-F085C .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2