Справочник IGBT. FGB40T65SPD-F085

 

FGB40T65SPD-F085 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGB40T65SPD-F085
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 267
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 26
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 92
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 36
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для FGB40T65SPD-F085

 

 

FGB40T65SPD-F085 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:2020K  onsemi
 fgb40t65spd-f085.pdf

FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085

IGBT - Field Stop, Trench650 V, 40 AFGB40T65SPD-F085General DescriptionUsing the novel field stop 3rd generation IGBT technology,FGH40T65SPD-F085 offers the optimum performance with both lowwww.onsemi.comconduction loss and switching loss for a high efficiency operation invarious applications, while provides 50 V higher blocking voltage andCrugged high current switching reli

 5.1. Size:265K  onsemi
 afgb40t65sqdn.pdf

FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085

AFGB40T65SQDNIGBT for AutomotiveApplications, 650 V, 40 A,D2PAKFeatures Maximum Junction Temperature: TJ = 175C www.onsemi.com High Speed Switching Series VCE(sat) = 1.6 V (Typ.) @ IC = 40 A BVCES VCE(sat) TYP IC MAX 100% of the Part are Dynamically Tested (Note 1) 650 V 1.6 V 160 A AEC-Q101 QualifiedC These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantT

 9.1. Size:625K  fairchild semi
 fgb40n60sm.pdf

FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085

April 2013FGB40N60SM600 V, 40 A Field Stop IGBTFeatures General DescriptionUUsing novel field stop IGBT technology, Fairchilds new series Maximum Junction Temperature : TJ = 175oCof Field Stop 2nd generation IGBTs offer the optimum Positive Temperaure Co-efficient for Easy Parallel Operatingperformance for welder and PFC applications where low High Curre

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top