FGD3440G2-F085V Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FGD3440G2-F085V
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 10 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 26.9 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.1 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2000 nS
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для FGD3440G2-F085V
FGD3440G2-F085V Datasheet (PDF)
fgb3440g2-f085 fgd3440g2-f085 fgp3440g2-f085.pdf

ON SemiconductorIs NowTo learn more about onsemi, please visit our website at www.onsemi.comonsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,
fgd3440g2-f085v.pdf

EcoSPARK) 2 N-ChannelIgnition IGBT335 mJ, 400 VFGD3440G2-F085VFeatures SCIS Energy = 335 mJ at TJ = 25Cwww.onsemi.com Logic Level Gate Drive AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantCOLLECTORApplications Automotive Ignition Coil Driver CircuitsR1 High Current Ignition SystemGATE Coil on Plug Applic
Другие IGBT... FGD3040G2-F085V , FGD3050G2 , FGD3050G2V , FGD3245G2-F085 , FGB3245G2-F085 , FGD3245G2-F085C , FGD3245G2-F085V , FGD3325G2-F085 , RJP30H2A , FGD3N60UNDF , FGD5T120SH , FGH12040WD , FGH15T120SMD , FGH20N60SFDTU , FGH20N60SFDTU-F085 , FGH30S150P , FGH40N60SFDTU .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166