FGD3440G2-F085V - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FGD3440G2-F085V
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 166
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 400
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 10
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 26.9
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.1
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 2.2
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 2000
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 24
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для FGD3440G2-F085V
FGD3440G2-F085V Datasheet (PDF)
fgb3440g2-f085 fgd3440g2-f085 fgp3440g2-f085.pdf
ON SemiconductorIs NowTo learn more about onsemi, please visit our website at www.onsemi.comonsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,
fgd3440g2-f085v.pdf
EcoSPARK) 2 N-ChannelIgnition IGBT335 mJ, 400 VFGD3440G2-F085VFeatures SCIS Energy = 335 mJ at TJ = 25Cwww.onsemi.com Logic Level Gate Drive AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantCOLLECTORApplications Automotive Ignition Coil Driver CircuitsR1 High Current Ignition SystemGATE Coil on Plug Applic
Другие IGBT... FGD3040G2-F085V , FGD3050G2 , FGD3050G2V , FGD3245G2-F085 , FGB3245G2-F085 , FGD3245G2-F085C , FGD3245G2-F085V , FGD3325G2-F085 , RJP30H2A , FGD3N60UNDF , FGD5T120SH , FGH12040WD , FGH15T120SMD , FGH20N60SFDTU , FGH20N60SFDTU-F085 , FGH30S150P , FGH40N60SFDTU .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ