IXGH17N100A - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

IXGH17N100A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: IXGH17N100A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 34 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4(max) V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF
   Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXGH17N100A

IXGH17N100A Datasheet (PDF)

..1. Size:48K ixys
ixgh17n100a.pdf

VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT IXGH/IXGM 17 N100 1000 V 34 A 3.5 VHigh speed IGBT IXGH/IXGM 17 N100A 1000 V 34 A 4.0 VSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C34 AIC90 TC = 90C17 A TO-204 AE (IXGM)ICM TC = 25C

0.1. Size:76K ixys
ixgh17n100au1.pdf

VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT with Diode IXGH 17 N100U1 1000 V 34 A 3.5 VHigh speed IGBT with Diode IXGH 17 N100AU1 1000 V 34 A 4.0 VCombi PacksSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C34 AG = Gate, C = Collector,IC90

4.1. Size:76K ixys
ixgh17n100u1.pdf