FGH75T65UPD-F155 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FGH75T65UPD-F155
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 43 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 205 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 385 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для FGH75T65UPD-F155
FGH75T65UPD-F155 Datasheet (PDF)
fgh75t65upd fgh75t65upd-f155.pdf
IGBT - Field Stop, Trench650 V, 75 AFGH75T65UPD,FGH75T65UPD-F155Descriptionwww.onsemi.comUsing innovative field stop trench IGBT technology,ON Semiconductors new series of field-stop trench IGBTs offeroptimum performance for solar inverter, UPS, welder, and digitalCpower genera-tor where low conduction and switching losses areessential.FeaturesG Maximum Junctio
fgh75t65upd-f085.pdf
IGBT - Field Stop, Trench650 V, 75 AFGH75T65UPD-F085DescriptionUsing Novel Field Stop Trench IGBT Technology,ON Semiconductors new series of Field Stop Trench IGBTs offerwww.onsemi.comthe optimum performance for Automotive chargers, Solar Inverter,UPS and Digital Power Generator where low conduction andswitching losses are essential.CFeatures Maximum Junction Tempe
fgh75t65upd.pdf
August 2012FGH75T65UPD650V, 75A Field Stop Trench IGBTFeatures General Description Maximum Junction Temperature : TJ = 175oC Using Novel Field Stop Trench IGBT Technology, Fairchildsnew series of Field Stop Trench IGBTs offer the optimum perfor- Positive Temperaure Co-efficient for easy parallel operatingmance for Solar Inverter , UPS and Digital Power Generator High
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2