FGP15N60UNDF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FGP15N60UNDF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 178
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 8.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 9.8
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 80
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 43
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для FGP15N60UNDF
FGP15N60UNDF Datasheet (PDF)
fgp15n60undf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
![FGP15N60UNDF](https://alltransistors.com/images/us.png)
![FGP15N60UNDF](https://alltransistors.com/images/es.png)
![FGP15N60UNDF](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ