Справочник IGBT. FGY120T65SPD-F085

 

FGY120T65SPD-F085 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGY120T65SPD-F085
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 882 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 240 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.2 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 134 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 440 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 162 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для FGY120T65SPD-F085

 

 

FGY120T65SPD-F085 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:473K  onsemi
 fgy120t65spd-f085.pdf

FGY120T65SPD-F085 FGY120T65SPD-F085

Field Stop Trench IGBT WithSoft Fast Recovery Diode650 V, 120 AFGY120T65SPD-F085Featureswww.onsemi.com Very Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 1.5 V(Typ.) @ IC = 120 A Maximum Junction Temperature : TJ = 175CC Positive Temperature Co-efficient Tight Parameter Distribution High Input Impedance 100% of the Parts are Dynamically TestedG Short Cir

 1.1. Size:1591K  onsemi
 afgy120t65spd-b4.pdf

FGY120T65SPD-F085 FGY120T65SPD-F085

Field Stop Trench IGBTWith Soft Fast RecoveryDiode and VCESAT, VTHBinning650 V, 120 Awww.onsemi.comAFGY120T65SPD-B4Features AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableC Very Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.5 V (Typ.) @ IC = 120 A Maximum Junction Temperature: TJ = 175C Positive Temperature Co-EfficientG Tight Parameter Distribution High Input Imped

 2.1. Size:340K  onsemi
 afgy120t65spd.pdf

FGY120T65SPD-F085 FGY120T65SPD-F085

Field Stop Trench IGBT withSoft Fast Recovery Diode120 A, 650 VAFGY120T65SPDAFGY120T65SPD which is AEC Q101 qualified offers very lowconduction and switch losses for a high efficiency operation in variouswww.onsemi.comapplications, rugged transient reliability and low EMI.Meanwhile, this part also offers an advantage of outstanding paralleloperation performance with balance cu

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top