FGY120T65SPD-F085 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FGY120T65SPD-F085
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 882 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 240 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 134 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 440 pF
Тип корпуса: TO247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
FGY120T65SPD-F085 Datasheet (PDF)
fgy120t65spd-f085.pdf

Field Stop Trench IGBT WithSoft Fast Recovery Diode650 V, 120 AFGY120T65SPD-F085Featureswww.onsemi.com Very Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 1.5 V(Typ.) @ IC = 120 A Maximum Junction Temperature : TJ = 175CC Positive Temperature Co-efficient Tight Parameter Distribution High Input Impedance 100% of the Parts are Dynamically TestedG Short Cir
afgy120t65spd-b4.pdf

Field Stop Trench IGBTWith Soft Fast RecoveryDiode and VCESAT, VTHBinning650 V, 120 Awww.onsemi.comAFGY120T65SPD-B4Features AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableC Very Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.5 V (Typ.) @ IC = 120 A Maximum Junction Temperature: TJ = 175C Positive Temperature Co-EfficientG Tight Parameter Distribution High Input Imped
afgy120t65spd.pdf

Field Stop Trench IGBT withSoft Fast Recovery Diode120 A, 650 VAFGY120T65SPDAFGY120T65SPD which is AEC Q101 qualified offers very lowconduction and switch losses for a high efficiency operation in variouswww.onsemi.comapplications, rugged transient reliability and low EMI.Meanwhile, this part also offers an advantage of outstanding paralleloperation performance with balance cu
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: MG75Q2YS50 | DM2G75SH6N | DM1GL75SH12A | NCE40ED75VT | 1MBH50-060 | JNG20T60PS | IXYN100N65B3D1
History: MG75Q2YS50 | DM2G75SH6N | DM1GL75SH12A | NCE40ED75VT | 1MBH50-060 | JNG20T60PS | IXYN100N65B3D1



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet