Справочник IGBT. FGY40T120SMD

 

FGY40T120SMD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGY40T120SMD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 882 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 47 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 180 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для FGY40T120SMD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGY40T120SMD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:656K  onsemi
 fgy40t120smd.pdf pdf_icon

FGY40T120SMD

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... FGHL75T65MQD , FGHL75T65MQDT , FGP10N60UNDF , FGP15N60UNDF , FGPF15N60UNDF , FGPF4565 , FGY100T65SCDT , FGY120T65SPD-F085 , GT30G122 , FGY60T120SQDN , FGY75T120SQDN , FGY75T95LQDT , FGY75T95SQDT , FPF2C110BI07AS2 , FPF2C8P2NL07A , FPF2G120BF07AS , HGT1S7N60A4S9A .

History: APT30GP60BDQ1G | APTGT600U170D4 | IGZ75N65H5 | IKP30N65F5 | STGFW20H65FB

 

 
Back to Top

 


 
.