Справочник IGBT. FGY40T120SMD

 

FGY40T120SMD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGY40T120SMD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 882
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 47
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 180
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 370
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для FGY40T120SMD

 

 

FGY40T120SMD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:656K  onsemi
 fgy40t120smd.pdf

FGY40T120SMD FGY40T120SMD

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: SPT40N120F1AT8TL

 

 
Back to Top