Справочник IGBT. AIHD04N60R

 

AIHD04N60R Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AIHD04N60R
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 8 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 18 pF
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AIHD04N60R

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AIHD04N60R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1928K  infineon
 aihd04n60r.pdf pdf_icon

AIHD04N60R

AIHD04N60RTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600Vapplications offering Optimised V and V for low conduction lossesCEsat FG Smooth switching performance leading to low EMI levelsE Very tight parameter distribution

 9.1. Size:1918K  infineon
 aihd06n60r.pdf pdf_icon

AIHD04N60R

AIHD06N60RTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600Vapplications offering Optimised V and V for low conduction lossesCEsat FG Smooth switching performance leading to low EMI levelsE Very tight parameter distribution

Другие IGBT... NGTB40N65FL2WG , NGTG15N60S1EG , 2A200HB12C2F , 2A300HB12C2F , 2A400HB12C2F , AIGW40N65H5 , AIGW50N65F5 , AIGW50N65H5 , FGH40N60SFD , AIHD06N60R , AIHD10N60R , AIHD15N60R , AIHD15N60RF , AIKB20N60CT , AIKP20N60CT , AIKQ100N60CT , AIKQ120N60CT .

History: STGF15H60DF | STGW15M120DF3 | IXYN82N120C3H1 | APT30GF60JU2 | IXBT24N170 | NCE100ED75VT

 

 
Back to Top

 


 
.