Справочник IGBT. AIHD06N60R

 

AIHD06N60R - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AIHD06N60R
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: AH06DR
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 7 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 24 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 48 nC
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для AIHD06N60R

 

 

AIHD06N60R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1918K  infineon
 aihd06n60r.pdf

AIHD06N60R AIHD06N60R

AIHD06N60RTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600Vapplications offering Optimised V and V for low conduction lossesCEsat FG Smooth switching performance leading to low EMI levelsE Very tight parameter distribution

 9.1. Size:1928K  infineon
 aihd04n60r.pdf

AIHD06N60R AIHD06N60R

AIHD04N60RTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600Vapplications offering Optimised V and V for low conduction lossesCEsat FG Smooth switching performance leading to low EMI levelsE Very tight parameter distribution

Другие IGBT... NGTG15N60S1EG , 2A200HB12C2F , 2A300HB12C2F , 2A400HB12C2F , AIGW40N65H5 , AIGW50N65F5 , AIGW50N65H5 , AIHD04N60R , FGD4536 , AIHD10N60R , AIHD15N60R , AIHD15N60RF , AIKB20N60CT , AIKP20N60CT , AIKQ100N60CT , AIKQ120N60CT , AIKW20N60CT .

 

 
Back to Top