AIHD06N60R - аналоги и описание IGBT

 

AIHD06N60R - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AIHD06N60R

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 7 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 24 pF

Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для AIHD06N60R

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AIHD06N60R даташит

 ..1. Size:1918K  infineon
 aihd06n60r.pdf pdf_icon

AIHD06N60R

AIHD06N60R TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage C Features TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600V applications offering Optimised V and V for low conduction losses CEsat F G Smooth switching performance leading to low EMI levels E Very tight parameter distribution

 9.1. Size:1928K  infineon
 aihd04n60r.pdf pdf_icon

AIHD06N60R

AIHD04N60R TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage C Features TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600V applications offering Optimised V and V for low conduction losses CEsat F G Smooth switching performance leading to low EMI levels E Very tight parameter distribution

Другие IGBT... NGTG15N60S1EG , 2A200HB12C2F , 2A300HB12C2F , 2A400HB12C2F , AIGW40N65H5 , AIGW50N65F5 , AIGW50N65H5 , AIHD04N60R , FGH60N60SMD , AIHD10N60R , AIHD15N60R , AIHD15N60RF , AIKB20N60CT , AIKP20N60CT , AIKQ100N60CT , AIKQ120N60CT , AIKW20N60CT .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.