Справочник IGBT. AIHD06N60R

 

AIHD06N60R - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AIHD06N60R
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 100
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 12
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 7
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 24
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для AIHD06N60R

 

 

AIHD06N60R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1918K  infineon
 aihd06n60r.pdf

AIHD06N60R AIHD06N60R

AIHD06N60RTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600Vapplications offering Optimised V and V for low conduction lossesCEsat FG Smooth switching performance leading to low EMI levelsE Very tight parameter distribution

 9.1. Size:1928K  infineon
 aihd04n60r.pdf

AIHD06N60R AIHD06N60R

AIHD04N60RTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600Vapplications offering Optimised V and V for low conduction lossesCEsat FG Smooth switching performance leading to low EMI levelsE Very tight parameter distribution

Другие IGBT... NGTG15N60S1EG , 2A200HB12C2F , 2A300HB12C2F , 2A400HB12C2F , AIGW40N65H5 , AIGW50N65F5 , AIGW50N65H5 , AIHD04N60R , FGH40N60SFD , AIHD10N60R , AIHD15N60R , AIHD15N60RF , AIKB20N60CT , AIKP20N60CT , AIKQ100N60CT , AIKQ120N60CT , AIKW20N60CT .

 

 
Back to Top