Справочник IGBT. AIHD06N60R

 

AIHD06N60R Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AIHD06N60R
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 7 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 24 pF
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AIHD06N60R

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AIHD06N60R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1918K  infineon
 aihd06n60r.pdf pdf_icon

AIHD06N60R

AIHD06N60RTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600Vapplications offering Optimised V and V for low conduction lossesCEsat FG Smooth switching performance leading to low EMI levelsE Very tight parameter distribution

 9.1. Size:1928K  infineon
 aihd04n60r.pdf pdf_icon

AIHD06N60R

AIHD04N60RTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600Vapplications offering Optimised V and V for low conduction lossesCEsat FG Smooth switching performance leading to low EMI levelsE Very tight parameter distribution

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: SKM300GAR123D | SG12N06DP | MMG300D120B6HN | NCE80TC65BT | IXGX120N120B3 | IXYH120N65C3 | IXXX160N65C4

 

 
Back to Top

 


 
.