AIKQ100N60CT - аналоги и описание IGBT

 

AIKQ100N60CT - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AIKQ100N60CT

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 714 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 38 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 360 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для AIKQ100N60CT

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AIKQ100N60CT даташит

 ..1. Size:1940K  infineon
 aikq100n60ct.pdf pdf_icon

AIKQ100N60CT

AIKQ100N60CT TRENCHSTOPTM Series Low Loss DuoPack IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode C Features Automotive AEC-Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.) CE(sat) Maximum junction temperature 175 C G Dynamically stress tested E Sho

 9.1. Size:1926K  infineon
 aikq120n60ct.pdf pdf_icon

AIKQ100N60CT

AIKQ120N60CT TRENCHSTOPTM Series Low Loss DuoPack IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode C Features Automotive AEC-Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.) CE(sat) Maximum junction temperature 175 C G Dynamically stress tested E Sho

Другие IGBT... AIGW50N65H5 , AIHD04N60R , AIHD06N60R , AIHD10N60R , AIHD15N60R , AIHD15N60RF , AIKB20N60CT , AIKP20N60CT , RJP30H2A , AIKQ120N60CT , AIKW20N60CT , AIKW30N60CT , AIKW40N65DF5 , AIKW40N65DH5 , AIKW50N60CT , AIKW50N65DF5 , AIKW50N65DH5 .

History: AIKP20N60CT | AIKW20N60CT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.