DF400R12KE3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DF400R12KE3
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 2000
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 580
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 125
Время нарастания типовое (tr), nS: 90
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 3700
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для DF400R12KE3
DF400R12KE3 Datasheet (PDF)
df400r12ke3.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleDF400R12KE3IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled diode IGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-ChopperHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CES
df400r07pe4r b6.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleDF300R07PE4_B6IGBT-modulesEconoPACK4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTCEconoPACK4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications An
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ