F3L300R12MT4-B22 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: F3L300R12MT4-B22
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1550 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 450 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для F3L300R12MT4-B22
F3L300R12MT4-B22 Datasheet (PDF)
f3l300r12mt4-b22.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L300R12MT4_B22IGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3
f3l300r12mt4p-b23.pdf
F3L300R12MT4P_B23EconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC /pre-applied Thermal Interface MaterialV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications 3-
f3l300r12mt4p-b22.pdf
F3L300R12MT4P_B22EconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC /pre-applied Thermal Interface MaterialV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications 3-
f3l300r12mt4 b22.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L300R12MT4_B22IGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3
f3l300r12mt4 b23.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L300R12MT4_B23IGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3
Другие IGBT... F3L100R07W2E3-B11 , F3L100R12W2H3-B11 , F3L150R07W2E3-B11 , F3L150R12W2H3-B11 , F3L15R12W2H3-B27 , F3L25R12W1T4-B27 , F3L300R12ME4-B22 , F3L300R12ME4-B23 , CRG60T60AK3HD , FB20R06W1E3-B11 , FD1200R17HP4-K-B2 , FD150R12RT4 , FD1600-1200R17HP4-K-B2 , IGB15N65S5 , IGB20N65S5 , IGB50N65H5 , IGB50N65S5 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2