F3L300R12MT4-B22 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: F3L300R12MT4-B22
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1550 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 450 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
F3L300R12MT4-B22 Datasheet (PDF)
f3l300r12mt4-b22.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L300R12MT4_B22IGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3
f3l300r12mt4p-b23.pdf

F3L300R12MT4P_B23EconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC /pre-applied Thermal Interface MaterialV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications 3-
f3l300r12mt4p-b22.pdf

F3L300R12MT4P_B22EconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC /pre-applied Thermal Interface MaterialV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications 3-
f3l300r12mt4 b22.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L300R12MT4_B22IGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3
Другие IGBT... F3L100R07W2E3-B11 , F3L100R12W2H3-B11 , F3L150R07W2E3-B11 , F3L150R12W2H3-B11 , F3L15R12W2H3-B27 , F3L25R12W1T4-B27 , F3L300R12ME4-B22 , F3L300R12ME4-B23 , GT30F131 , FB20R06W1E3-B11 , FD1200R17HP4-K-B2 , FD150R12RT4 , FD1600-1200R17HP4-K-B2 , IGB15N65S5 , IGB20N65S5 , IGB50N65H5 , IGB50N65S5 .
History: FF200R12KE4 | IKZ75N65EH5 | IXGH40N60B2D1 | AUIRG4BC30S-S | GT60M303 | SKM400GA124D | 6MBP25VBA120-50
History: FF200R12KE4 | IKZ75N65EH5 | IXGH40N60B2D1 | AUIRG4BC30S-S | GT60M303 | SKM400GA124D | 6MBP25VBA120-50



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77 | ac128 transistor datasheet