IXGH24N60B - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXGH24N60B
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 135 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXGH24N60B
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXGH24N60B даташит
ixgh24n60b.pdf
IXGH 24N60B VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IC25 = 48 A VCE(sat) = 2.3 V tfi = 80 ns Preliminary Data TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V C (TAB) G IC25 TC = 25 C48 A C E IC90 TC = 90 C24 A G = Gate, C = Collector, ICM TC = 25 C, 1 ms 96 A
ixgh24n50b ixgh24n60b.pdf
VCES IC(25) VCE(sat) tfi HiPerFASTTM IGBT IXGH24N50B 500 V 48 A 2.3 V 80 ns 600 V 48 A 2.5 V 80 ns IXGH24N60B Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD 24N50 24N60 VCES TJ = 25 C to 150 C 500 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 500 600 V C (TAB) VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C E IC25 TC = 25 C48 A G = Gate, C = Collector, IC90 TC = 9
ixgh24n50bu1 ixgh24n60bu1.pdf
VCES IC(25) VCE(sat) tfi HiPerFASTTM IGBT 500 V 48 A 2.3 V 80 ns IXGH24N50BU1 with Diode 600 V 48 A 2.5 V 80 ns IXGH24N60BU1 Combi Pack Preliminary data TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings 24N50 24N60 C (TAB) VCES TJ = 25 C to 150 C 500 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 500 600 V C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G = Gate, C = Collector, E
ixgh24n60cd1.pdf
IXGH 24N60CD1 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGT 24N60CD1 IC25 = 48 A with Diode VCE(sat) = 2.5 V Lightspeed Series Preliminary data TO-268 Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C48 A TO-247 AD (IXGH) IC110 TC = 110 C24 A
Другие IGBT... IXGH20N30S , IXGH20N60B , IXGH20N60BD1 , IXGH22N50B , IXGH22N50BU1 , IXGH22N50C , IXGH24N50B , IXGH24N50BU1 , FGH60N60SFD , IXGH24N60BU1 , IXGH24N60C , IXGH24N60CD1 , IXGH25N100 , IXGH25N100A , IXGH25N100AU1 , IXGH25N100U1 , IXGH25N120 .
History: SML75HB06
History: SML75HB06
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement








