IKFW50N60DH3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IKFW50N60DH3
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: K50DDH3
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 145
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 53
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.7
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 35
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 94
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 210
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IKFW50N60DH3
IKFW50N60DH3 Datasheet (PDF)
ikfw50n60dh3.pdf
IKFW50N60DH3TRENCHSTOPTM Advanced IsolationHigh speed switching series third generation IGBT copacked with Rapid 1fast and soft antiparallel diode in fully isolated packageCFeatures:TRENCHSTOP technology offers : Short circuit withstand time 5s at T = 175Cvj Positive temperature coefficient in VCE(sat) Low EMIG Very soft, fast recovery anti-parallel
ikfw50n60dh3e.pdf
IKFW50N60DH3ETRENCHSTOPTM Advanced IsolationHigh speed switching series third generation IGBT copacked with Rapid 1fast and soft antiparallel diode in fully isolated packageCFeatures:TRENCHSTOP technology offers : Short circuit withstand time 5s at T = 175Cvj Positive temperature coefficient in VCE(sat) Low EMIG Very soft, fast recovery anti-parallel
ikfw50n60et.pdf
IKFW50N60ETTRENCHSTOPTM Advanced IsolationTRENCHSTOPTM IGBT copacked with Rapid 1 fast and soft antiparallel diodein fully isolated packageCFeatures:TRENCHSTOP technology offers : Very low VCE(sat) Short circuit withstand time 5s at T = 175Cvj Positive temperature coefficient in VCE(sat)G Low EMIE Very soft, fast recovery anti-parallel diode
ikfw50n65dh5.pdf
IKFW50N65DH5TRENCHSTOPTM 5 Advanced IsolationHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diode in fully isolated packageCFeatures and Benefits:TRENCHSTOPTM 5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonanttopologies Plug and play replacement of previous generation IGBTsG 650V breakdown
Другие IGBT... IKB30N65EH5 , IKB30N65ES5 , IKB40N65EF5 , IKB40N65EH5 , IKB40N65ES5 , IKD06N60RF , IKD15N60RC2 , IKFW40N60DH3E , GT40QR21 , IKFW50N60DH3E , IKFW50N60ET , IKFW50N65DH5 , IKFW60N60DH3E , IKFW60N60EH3 , IKFW75N60ET , IKFW90N60EH3 , IKFW90N65ES5 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ