IKFW60N60EH3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IKFW60N60EH3  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 164 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 64 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 37 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IKFW60N60EH3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKFW60N60EH3 даташит

 ..1. Size:2008K  infineon
 ikfw60n60eh3.pdf pdf_icon

IKFW60N60EH3

IKFW60N60EH3 TRENCHSTOPTM Advanced Isolation High speed switching series third generation IGBT copacked with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in fully isolated package C Features TRENCHSTOP technology offers Low V CE(sat) Short circuit withstand time 5 s at T = 175 C vj Positive temperature coefficient in V CE(sat) G Low EMI E Very soft, fast

 5.1. Size:2002K  infineon
 ikfw60n60dh3e.pdf pdf_icon

IKFW60N60EH3

IKFW60N60DH3E TRENCHSTOPTM Advanced Isolation High speed switching series third generation IGBT copacked with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in fully isolated package C Features TRENCHSTOP technology offers Short circuit withstand time 5 s at T = 175 C vj Positive temperature coefficient in V CE(sat) Low EMI G Very soft, fast recovery anti-parallel

Другие IGBT... IKD06N60RF, IKD15N60RC2, IKFW40N60DH3E, IKFW50N60DH3, IKFW50N60DH3E, IKFW50N60ET, IKFW50N65DH5, IKFW60N60DH3E, YGW75N65F1, IKFW75N60ET, IKFW90N60EH3, IKFW90N65ES5, IKP20N60TA, IKP28N65ES5, IKP39N65ES5, IKP40N65H5, IKW40N65H5