IKFW60N60EH3 - аналоги и описание IGBT

 

IKFW60N60EH3 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: IKFW60N60EH3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 164 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 64 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 37 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IKFW60N60EH3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры IKFW60N60EH3

 ..1. Size:2008K  infineon
 ikfw60n60eh3.pdf pdf_icon

IKFW60N60EH3

IKFW60N60EH3 TRENCHSTOPTM Advanced Isolation High speed switching series third generation IGBT copacked with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in fully isolated package C Features TRENCHSTOP technology offers Low V CE(sat) Short circuit withstand time 5 s at T = 175 C vj Positive temperature coefficient in V CE(sat) G Low EMI E Very soft, fast

 5.1. Size:2002K  infineon
 ikfw60n60dh3e.pdf pdf_icon

IKFW60N60EH3

IKFW60N60DH3E TRENCHSTOPTM Advanced Isolation High speed switching series third generation IGBT copacked with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in fully isolated package C Features TRENCHSTOP technology offers Short circuit withstand time 5 s at T = 175 C vj Positive temperature coefficient in V CE(sat) Low EMI G Very soft, fast recovery anti-parallel

Другие IGBT... IKD06N60RF , IKD15N60RC2 , IKFW40N60DH3E , IKFW50N60DH3 , IKFW50N60DH3E , IKFW50N60ET , IKFW50N65DH5 , IKFW60N60DH3E , TGAN40N60FD , IKFW75N60ET , IKFW90N60EH3 , IKFW90N65ES5 , IKP20N60TA , IKP28N65ES5 , IKP39N65ES5 , IKP40N65H5 , IKW40N65H5 .

 

 
Back to Top

 


 
.