Справочник IGBT. IKP39N65ES5

 

IKP39N65ES5 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKP39N65ES5
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K39EES5
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 62 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 70 nC
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IKP39N65ES5

 

 

IKP39N65ES5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1996K  infineon
 ikp39n65es5.pdf

IKP39N65ES5 IKP39N65ES5

IKP39N65ES5High speed switching series 5 th generationTRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full ratedcurrent RAPID 1 fast and soft anti parallel diodeCFeatures and Benefits:High speed S5 technology offering High speed smooth switching device for hard & soft switching Very Low VCEsat 650V breakdown voltageG Low QGE IGBT copacked

Другие IGBT... IKFW50N65DH5 , IKFW60N60DH3E , IKFW60N60EH3 , IKFW75N60ET , IKFW90N60EH3 , IKFW90N65ES5 , IKP20N60TA , IKP28N65ES5 , IRG4PC40UD , IKP40N65H5 , IKW40N65H5 , IKQ100N60T , IKQ120N60T , IKQ40N120CH3 , IKQ40N120CT2 , IKQ50N120CH3 , IKQ50N120CT2 .

 

 
Back to Top