Справочник IGBT. IKQ100N60T

 

IKQ100N60T - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKQ100N60T
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K100T60
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 714
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 160
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.5
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 38
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 360
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 610
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IKQ100N60T

 

 

IKQ100N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1927K  infineon
 ikq100n60t.pdf

IKQ100N60T IKQ100N60T

IKQ100N60TTRENCHSTOPTM seriesLow Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technologywith soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled diodeCFeatures: Very low V 1.5V (typ.)CE(sat) Maximum junction temperature 175C Short circuit withstand time 5sG TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology for 600VEapplications offers:- very tight parameter

 0.1. Size:2201K  infineon
 ikq100n60ta.pdf

IKQ100N60T IKQ100N60T

IGBTLow Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diodeIKQ100N60TA600V low loss switching series third generationData sheetIndustrial Power ControlIKQ100N60TATRENCHSTOPTM seriesLow Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technologywith soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled di

 5.1. Size:1940K  infineon
 aikq100n60ct.pdf

IKQ100N60T IKQ100N60T

AIKQ100N60CTTRENCHSTOPTM SeriesLow Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technologywith soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diodeCFeatures: Automotive AEC-Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.)CE(sat) Maximum junction temperature 175CG Dynamically stress testedE Sho

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top