Справочник IGBT. IKQ100N60T

 

IKQ100N60T Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKQ100N60T
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K100T60
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 714 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 38 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 360 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 610 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IKQ100N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1927K  infineon
 ikq100n60t.pdf pdf_icon

IKQ100N60T

IKQ100N60TTRENCHSTOPTM seriesLow Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technologywith soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled diodeCFeatures: Very low V 1.5V (typ.)CE(sat) Maximum junction temperature 175C Short circuit withstand time 5sG TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology for 600VEapplications offers:- very tight parameter

 0.1. Size:2201K  infineon
 ikq100n60ta.pdf pdf_icon

IKQ100N60T

IGBTLow Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diodeIKQ100N60TA600V low loss switching series third generationData sheetIndustrial Power ControlIKQ100N60TATRENCHSTOPTM seriesLow Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technologywith soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled di

 5.1. Size:1940K  infineon
 aikq100n60ct.pdf pdf_icon

IKQ100N60T

AIKQ100N60CTTRENCHSTOPTM SeriesLow Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technologywith soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diodeCFeatures: Automotive AEC-Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.)CE(sat) Maximum junction temperature 175CG Dynamically stress testedE Sho

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IXSH24N60U1 | IXGA20N100 | 1MBI300U2H-060L-50 | IXSH25N120AU1 | AIKW40N65DF5

 

 
Back to Top

 


 
.