Справочник IGBT. IKQ120N60T

 

IKQ120N60T - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKQ120N60T
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K120T60
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 833
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 160
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.5
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 43
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 446
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 703
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IKQ120N60T

 

 

IKQ120N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1911K  infineon
 ikq120n60t.pdf

IKQ120N60T IKQ120N60T

IKQ120N60TTRENCHSTOPTM seriesLow Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technologywith soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled diodeCFeatures: Very low V 1.5V (typ.)CE(sat) Maximum junction temperature 175C Short circuit withstand time 5sG TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology for 600VEapplications offers:- very tight parameter

 0.1. Size:2196K  infineon
 ikq120n60ta.pdf

IKQ120N60T IKQ120N60T

IGBTLow Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diodeIKQ120N60TA600V low loss switching series third generationData sheetIndustrial Power ControlIKQ120N60TATRENCHSTOPTM seriesLow Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technologywith soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled di

 5.1. Size:1926K  infineon
 aikq120n60ct.pdf

IKQ120N60T IKQ120N60T

AIKQ120N60CTTRENCHSTOPTM SeriesLow Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technologywith soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diodeCFeatures: Automotive AEC-Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.)CE(sat) Maximum junction temperature 175CG Dynamically stress testedE Sho

Другие IGBT... IKFW90N60EH3 , IKFW90N65ES5 , IKP20N60TA , IKP28N65ES5 , IKP39N65ES5 , IKP40N65H5 , IKW40N65H5 , IKQ100N60T , GT30F124 , IKQ40N120CH3 , IKQ40N120CT2 , IKQ50N120CH3 , IKQ50N120CT2 , IKQ75N120CS6 , IKQ75N120CT2 , IKW15N120BH6 , IKW30N60DTP .

 

 
Back to Top