Справочник IGBT. IKQ40N120CT2

 

IKQ40N120CT2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKQ40N120CT2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K40MCT2
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 43 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 235 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 190 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IKQ40N120CT2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKQ40N120CT2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1635K  infineon
ikq40n120ct2.pdfpdf_icon

IKQ40N120CT2

IKQ40N120CT2TRENCHSTOPTM 2 low V second generation IGBTce(sat)Low V IGBT in TRENCHSTOP 2 technology copacked with soft, fastce(sat)recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled DiodeCFeatures:TRENCHSTOP 2 technology offers: Very low V , 1.75V at nominal currentCE(sat) 10sec short circuit withstand time at T =175Cvj Easy paralleling cap

 4.1. Size:1603K  infineon
ikq40n120ch3.pdfpdf_icon

IKQ40N120CT2

IKQ40N120CH3High speed switching series third generation IGBTLow switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fastrecovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diodeCFeatures:High speed H3 technology offers: High efficiency in hard switching and resonant topologies 10sec short circuit withstand time at T =175Cvj Easy parallel

Другие IGBT... IKP20N60TA , IKP28N65ES5 , IKP39N65ES5 , IKP40N65H5 , IKW40N65H5 , IKQ100N60T , IKQ120N60T , IKQ40N120CH3 , FGH40N60UFD , IKQ50N120CH3 , IKQ50N120CT2 , IKQ75N120CS6 , IKQ75N120CT2 , IKW15N120BH6 , IKW30N60DTP , IKW30N65ES5 , IKW40N120CS6 .

 

 
Back to Top

 


 
.