Справочник IGBT. IKQ50N120CT2

 

IKQ50N120CT2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKQ50N120CT2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K50MCT2
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 652 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 46 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 355 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 235 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IKQ50N120CT2

 

 

IKQ50N120CT2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1638K  infineon
 ikq50n120ct2.pdf

IKQ50N120CT2 IKQ50N120CT2

IKQ50N120CT2TRENCHSTOPTM 2 low V second generation IGBTce(sat)Low V IGBT in TRENCHSTOP 2 technology copacked with soft, fastce(sat)recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled DiodeCFeatures:TRENCHSTOP 2 technology offers: Very low V , 1.75V at nominal currentCE(sat) 10sec short circuit withstand time at T =175Cvj Easy paralleling cap

 4.1. Size:1627K  infineon
 ikq50n120ch3.pdf

IKQ50N120CT2 IKQ50N120CT2

IKQ50N120CH3High speed switching series third generation IGBTLow switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fastrecovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diodeCFeatures:High speed H3 technology offers: High efficiency in hard switching and resonant topologies 10sec short circuit withstand time at T =175Cvj Easy parallel

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top