IKQ50N120CT2 - аналоги и описание IGBT

 

IKQ50N120CT2 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: IKQ50N120CT2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 652 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 46 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 355 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IKQ50N120CT2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры IKQ50N120CT2

 ..1. Size:1638K  infineon
 ikq50n120ct2.pdf pdf_icon

IKQ50N120CT2

IKQ50N120CT2 TRENCHSTOPTM 2 low V second generation IGBT ce(sat) Low V IGBT in TRENCHSTOP 2 technology copacked with soft, fast ce(sat) recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled Diode C Features TRENCHSTOP 2 technology offers Very low V , 1.75V at nominal current CE(sat) 10 sec short circuit withstand time at T =175 C vj Easy paralleling cap

 4.1. Size:1627K  infineon
 ikq50n120ch3.pdf pdf_icon

IKQ50N120CT2

IKQ50N120CH3 High speed switching series third generation IGBT Low switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fast recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diode C Features High speed H3 technology offers High efficiency in hard switching and resonant topologies 10 sec short circuit withstand time at T =175 C vj Easy parallel

Другие IGBT... IKP39N65ES5 , IKP40N65H5 , IKW40N65H5 , IKQ100N60T , IKQ120N60T , IKQ40N120CH3 , IKQ40N120CT2 , IKQ50N120CH3 , FGH40N60SFD , IKQ75N120CS6 , IKQ75N120CT2 , IKW15N120BH6 , IKW30N60DTP , IKW30N65ES5 , IKW40N120CS6 , IKW40N60DTP , IKW40N65ES5 .

History: IKW50N60DTP

 

 
Back to Top

 


 
.