Справочник IGBT. IKQ75N120CS6

 

IKQ75N120CS6 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKQ75N120CS6
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 880 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 44 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 360 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IKQ75N120CS6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2072K  infineon
 ikq75n120cs6.pdf pdf_icon

IKQ75N120CS6

IKQ75N120CS6Sixth generation, high speed soft switching seriesHigh speed soft switching TRENCHSTOPTM IGBT 6 in Trench and Fieldstoptechnology copacked with soft and fast recovery anti-parallel diodeCFeatures:1200V TRENCHSTOPTM IGBT6 technology offering: High efficiency in hard switching and resonant topologies Easy paralleling capability due to positive temperaturecoeffi

 4.1. Size:1622K  infineon
 ikq75n120ct2.pdf pdf_icon

IKQ75N120CS6

IKQ75N120CT2TRENCHSTOPTM 2 low V second generation IGBTce(sat)Low V IGBT in TRENCHSTOP 2 technology copacked with soft, fastce(sat)recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled DiodeCFeatures:TRENCHSTOP 2 technology offers: Very low V , 1.75V at nominal currentCE(sat) 10sec short circuit withstand time at T =175Cvj Easy paralleling cap

Другие IGBT... IKP40N65H5 , IKW40N65H5 , IKQ100N60T , IKQ120N60T , IKQ40N120CH3 , IKQ40N120CT2 , IKQ50N120CH3 , IKQ50N120CT2 , GT50JR22 , IKQ75N120CT2 , IKW15N120BH6 , IKW30N60DTP , IKW30N65ES5 , IKW40N120CS6 , IKW40N60DTP , IKW40N65ES5 , IKW50N60DTP .

History: IXGT28N30B | IKD06N60RA | AIKQ100N60CT | HGTP14N40F3VL | FGB3236-F085 | AIGW50N65H5 | IXGX32N170H1

 

 
Back to Top

 


 
.