IKQ75N120CT2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IKQ75N120CT2  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 938 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 49 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 505 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IKQ75N120CT2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKQ75N120CT2 даташит

 ..1. Size:1622K  infineon
 ikq75n120ct2.pdf pdf_icon

IKQ75N120CT2

IKQ75N120CT2 TRENCHSTOPTM 2 low V second generation IGBT ce(sat) Low V IGBT in TRENCHSTOP 2 technology copacked with soft, fast ce(sat) recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled Diode C Features TRENCHSTOP 2 technology offers Very low V , 1.75V at nominal current CE(sat) 10 sec short circuit withstand time at T =175 C vj Easy paralleling cap

 4.1. Size:2072K  infineon
 ikq75n120cs6.pdf pdf_icon

IKQ75N120CT2

IKQ75N120CS6 Sixth generation, high speed soft switching series High speed soft switching TRENCHSTOPTM IGBT 6 in Trench and Fieldstop technology copacked with soft and fast recovery anti-parallel diode C Features 1200V TRENCHSTOPTM IGBT6 technology offering High efficiency in hard switching and resonant topologies Easy paralleling capability due to positive temperature coeffi

Другие IGBT... IKW40N65H5, IKQ100N60T, IKQ120N60T, IKQ40N120CH3, IKQ40N120CT2, IKQ50N120CH3, IKQ50N120CT2, IKQ75N120CS6, FGH60N60SMD, IKW15N120BH6, IKW30N60DTP, IKW30N65ES5, IKW40N120CS6, IKW40N60DTP, IKW40N65ES5, IKW50N60DTP, IKW50N65EH5