Справочник IGBT. IKQ75N120CT2

 

IKQ75N120CT2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKQ75N120CT2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K75MCT2
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 938
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.75
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 49
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 505
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 370
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IKQ75N120CT2

 

 

IKQ75N120CT2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1622K  infineon
 ikq75n120ct2.pdf

IKQ75N120CT2 IKQ75N120CT2

IKQ75N120CT2TRENCHSTOPTM 2 low V second generation IGBTce(sat)Low V IGBT in TRENCHSTOP 2 technology copacked with soft, fastce(sat)recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled DiodeCFeatures:TRENCHSTOP 2 technology offers: Very low V , 1.75V at nominal currentCE(sat) 10sec short circuit withstand time at T =175Cvj Easy paralleling cap

 4.1. Size:2072K  infineon
 ikq75n120cs6.pdf

IKQ75N120CT2 IKQ75N120CT2

IKQ75N120CS6Sixth generation, high speed soft switching seriesHigh speed soft switching TRENCHSTOPTM IGBT 6 in Trench and Fieldstoptechnology copacked with soft and fast recovery anti-parallel diodeCFeatures:1200V TRENCHSTOPTM IGBT6 technology offering: High efficiency in hard switching and resonant topologies Easy paralleling capability due to positive temperaturecoeffi

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top