IKW75N60H3 - Аналоги. Основные параметры
Наименование: IKW75N60H3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 428 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 240 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IKW75N60H3
Технические параметры IKW75N60H3
ikw75n60h3.pdf
IGBT High speed DuoPack IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode IKW75N60H3 600V high speed switching series third generation Data sheet Industrial & Multimarket IKW75N60H3 High speed switching series third generation High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology C Features TRENCHSTOPTM technology offering very lo
aikw75n60ct.pdf
AIKW75N60CT TRENCHSTOPTM Series Low Loss DuoPack IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode C Features Automotive AEC-Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.) CE(sat) Maximum junction temperature 175 C G Dynamically stress tested E Shor
ikw75n60t.pdf
IKW75N60T TRENCHSTOP Series q Low Loss DuoPack IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode C Very low VCE(sat) 1.5V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5 s G Positive temperature coefficient in VCE(sat) E very tight parameter distribution high rugg
ikw75n60trev2 6g.pdf
IKW75N60T TrenchStop Series q Low Loss DuoPack IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C G Short circuit withstand time 5 s E Positive temperature coefficient in VCE(sat) very tight parameter distribution high rugg
Другие IGBT... IKW15N120BH6 , IKW30N60DTP , IKW30N65ES5 , IKW40N120CS6 , IKW40N60DTP , IKW40N65ES5 , IKW50N60DTP , IKW50N65EH5 , CRG40T60AN3H , IKW75N65EH5 , IKW75N65ES5 , IKY40N120CH3 , IKY40N120CS6 , IKY50N120CH3 , IKY75N120CH3 , IKY75N120CS6 , IKZ50N65EH5 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461






