IKW75N65ES5 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: IKW75N65ES5 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 395 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.42 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 46 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
Тип корпуса: TO247
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IKW75N65ES5
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IKW75N65ES5 даташит
ikw75n65es5.pdf
IGBT TRENCHSTOPTM 5 high Speed soft switching IGBT with full current rated RAPID 1 diode IKW75N65ES5 650V TRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching duopak Data sheet Industrial Power Control IKW75N65ES5 TRENCHSTOPTM 5 soft switching IGBT TRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full current rated RAPID 1 fast and soft antiparallel diode C Features and Benefits Hi
ikw75n65eh5.pdf
IKW75N65EH5 High speed series fifth generation High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with full-rated RAPID 1 fast and soft antiparallel diode C Features and Benefits High speed H5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies Plug and play replacement of previous generation IGBTs G 650V breakdown voltage E
ikw75n65el5.pdf
IGBT Low V IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 CE(sat) fast and soft antiparallel diode IKW75N65EL5 650V DuoPack IGBT and diode Low V series fifth generation CE(sat) Data sheet Industrial Power Control IKW75N65EL5 Low V series fifth generation CE(sat) Low V IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 CE(sat) fast and soft antiparallel diode C Fe
aikw75n60ct.pdf
AIKW75N60CT TRENCHSTOPTM Series Low Loss DuoPack IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode C Features Automotive AEC-Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.) CE(sat) Maximum junction temperature 175 C G Dynamically stress tested E Shor
Другие IGBT... IKW30N65ES5, IKW40N120CS6, IKW40N60DTP, IKW40N65ES5, IKW50N60DTP, IKW50N65EH5, IKW75N60H333, IKW75N65EH5, FGA25N120ANTD, IKY40N120CH3, IKY40N120CS6, IKY50N120CH3, IKY75N120CH3, IKY75N120CS6, IKZ50N65EH5, IKZ50N65ES5, IKZ75N65EH5
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238








