Справочник IGBT. IKY40N120CH3

 

IKY40N120CH3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKY40N120CH3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 29 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 235 pF
   Тип корпуса: TO247-4
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IKY40N120CH3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1575K  infineon
 iky40n120ch3.pdf pdf_icon

IKY40N120CH3

IKY40N120CH3High speed switching series third generation IGBTLow switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fastrecovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diodeFeatures:High speed H3 technology offers: Ultra-low loss switching losses thanks to Kelvin emitter pinpackage in combination with High speed H3 technology High efficiency in

 4.1. Size:2032K  infineon
 iky40n120cs6.pdf pdf_icon

IKY40N120CH3

IKY40N120CS6Sixth generation, high speed soft switching seriesHigh speed soft switching TRENCHSTOPTM IGBT 6 in Trench and Fieldstoptechnology copacked with soft and fast recovery anti-parallel diodeFeatures:1200V TRENCHSTOPTM IGBT6 technology offering: High efficiency in hard switching and resonant topologies Easy paralleling capability due to positive temperaturecoefficie

Другие IGBT... IKW40N120CS6 , IKW40N60DTP , IKW40N65ES5 , IKW50N60DTP , IKW50N65EH5 , IKW75N60H3 , IKW75N65EH5 , IKW75N65ES5 , FGA25N120ANTD , IKY40N120CS6 , IKY50N120CH3 , IKY75N120CH3 , IKY75N120CS6 , IKZ50N65EH5 , IKZ50N65ES5 , IKZ75N65EH5 , IKZ75N65ES5 .

History: IXYH100N65C3 | DL2G50SH6N | MMG200DR120B | IXGT30N60C3D1 | SKM145GAY123D | IXGR72N60B3D1 | HYG30P120H1K1

 

 
Back to Top

 


 
.