IKY40N120CH3 - аналоги и описание IGBT

 

IKY40N120CH3 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: IKY40N120CH3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 29 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 235 pF
   Тип корпуса: TO247-4
 

 Аналог (замена) для IKY40N120CH3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры IKY40N120CH3

 ..1. Size:1575K  infineon
 iky40n120ch3.pdf pdf_icon

IKY40N120CH3

IKY40N120CH3 High speed switching series third generation IGBT Low switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fast recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diode Features High speed H3 technology offers Ultra-low loss switching losses thanks to Kelvin emitter pin package in combination with High speed H3 technology High efficiency in

 4.1. Size:2032K  infineon
 iky40n120cs6.pdf pdf_icon

IKY40N120CH3

IKY40N120CS6 Sixth generation, high speed soft switching series High speed soft switching TRENCHSTOPTM IGBT 6 in Trench and Fieldstop technology copacked with soft and fast recovery anti-parallel diode Features 1200V TRENCHSTOPTM IGBT6 technology offering High efficiency in hard switching and resonant topologies Easy paralleling capability due to positive temperature coefficie

Другие IGBT... IKW40N120CS6 , IKW40N60DTP , IKW40N65ES5 , IKW50N60DTP , IKW50N65EH5 , IKW75N60H3 , IKW75N65EH5 , IKW75N65ES5 , CRG60T60AN3H , IKY40N120CS6 , IKY50N120CH3 , IKY75N120CH3 , IKY75N120CS6 , IKZ50N65EH5 , IKZ50N65ES5 , IKZ75N65EH5 , IKZ75N65ES5 .

History: IKW50N60DTP

 

 
Back to Top

 


 
.