Справочник IGBT. IKY40N120CS6

 

IKY40N120CS6 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKY40N120CS6
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 185 pF
   Тип корпуса: TO247-4
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IKY40N120CS6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2032K  infineon
 iky40n120cs6.pdf pdf_icon

IKY40N120CS6

IKY40N120CS6Sixth generation, high speed soft switching seriesHigh speed soft switching TRENCHSTOPTM IGBT 6 in Trench and Fieldstoptechnology copacked with soft and fast recovery anti-parallel diodeFeatures:1200V TRENCHSTOPTM IGBT6 technology offering: High efficiency in hard switching and resonant topologies Easy paralleling capability due to positive temperaturecoefficie

 4.1. Size:1575K  infineon
 iky40n120ch3.pdf pdf_icon

IKY40N120CS6

IKY40N120CH3High speed switching series third generation IGBTLow switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fastrecovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diodeFeatures:High speed H3 technology offers: Ultra-low loss switching losses thanks to Kelvin emitter pinpackage in combination with High speed H3 technology High efficiency in

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IXBT24N170 | APT30GP60BDF1 | MSG100T100FLN | IXYX140N90C3 | FF300R06KE3 | SKM100GB176D | HIH30N140IH-DB

 

 
Back to Top

 


 
.