IKY75N120CH3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IKY75N120CH3
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: K75MCH3
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 938
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 32
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 505
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 370
Тип корпуса: TO247-4
Аналог (замена) для IKY75N120CH3
IKY75N120CH3 Datasheet (PDF)
iky75n120ch3.pdf
IKY75N120CH3High speed switching series third generation IGBTLow switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fastrecovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diodeFeatures:High speed H3 technology offers: Ultra-low loss switching losses thanks to Kelvin emitter pinpackage in combination with High speed H3 technology High efficiency in
iky75n120cs6.pdf
IKY75N120CS6Sixth generation, high speed soft switching seriesHigh speed soft switching TRENCHSTOPTM IGBT 6 in Trench and Fieldstoptechnology copacked with soft and fast recovery anti-parallel diodeFeatures:1200V TRENCHSTOPTM IGBT6 technology offering: High efficiency in hard switching and resonant topologies Easy paralleling capability due to positive temperaturecoefficie
Другие IGBT... IKW50N60DTP , IKW50N65EH5 , IKW75N60H3 , IKW75N65EH5 , IKW75N65ES5 , IKY40N120CH3 , IKY40N120CS6 , IKY50N120CH3 , CRG40T60AK3HD , IKY75N120CS6 , IKZ50N65EH5 , IKZ50N65ES5 , IKZ75N65EH5 , IKZ75N65ES5 , IRG4BC20KDPBF , IRG4BC20UDPBF , IRG4IBC10UDPBF .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ