Справочник IGBT. IRG4BC20KDPBF

 

IRG4BC20KDPBF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG4BC20KDPBF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 60
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 16
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.27
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 34
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 61
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 34
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для IRG4BC20KDPBF

 

 

IRG4BC20KDPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  infineon
 irg4bc20kdpbf.pdf

IRG4BC20KDPBF IRG4BC20KDPBF

IRG4BC20KDPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH Short Circuit RatedULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEUltraFast IGBTFeaturesC GE =

 4.1. Size:222K  international rectifier
 irg4bc20kd-s.pdf

IRG4BC20KDPBF IRG4BC20KDPBF

PD -91598AIRG4BC20KD-SINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH Short Circuit RatedULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast IGBTFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesC Short Circuit Rated UltraFast: Optimized forVCES = 600V high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10s @ 125C, VGE = 15V Generation 4 IGBT design provides tighterVCE(on)

 4.2. Size:202K  international rectifier
 irg4bc20kd.pdf

IRG4BC20KDPBF IRG4BC20KDPBF

PD -91599AIRG4BC20KDINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH Short Circuit RatedULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEUltraFast IGBTFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesC Short Circuit Rated UltraFast: Optimized forVCES = 600V high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10s @ 125C, VGE = 15V Generation 4 IGBT design provides tighterVCE(on

 5.1. Size:141K  international rectifier
 irg4bc20k.pdf

IRG4BC20KDPBF IRG4BC20KDPBF

D I Short Circuit RatedI T D T I T I T UltraFast IGBTFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesC High short circuit rating optimized for motor control,VCES = 600V tsc =10s, @360V VCE (start), TJ = 125C, VGE = 15V Combines low conduction losses with highVCE(on) typ. = 2.27V switching speedG Latest generation design

 5.2. Size:165K  international rectifier
 irg4bc20k-s.pdf

IRG4BC20KDPBF IRG4BC20KDPBF

D I Short Circuit RatedI T D T I T I T UltraFast IGBTFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesC High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10s, @360V VCE (start), TJ = 125C, VCES = 600V VGE = 15V Combines low conduction losses with highVCE(on) typ. = 2.27V switching speedG Latest generation desig

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top