Справочник IGBT. IRG4PC50FPBF

 

IRG4PC50FPBF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG4PC50FPBF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IRG4PC50FPBF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG4PC50FPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  international rectifier
 irg4pc50fpbf.pdf pdf_icon

IRG4PC50FPBF

PD - 95398IRG4PC50FPbFFast Speed IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORFeatures C Optimized for medium operatingVCES = 600V frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). Generation 4 IGBT design provides tighterVCE(on) typ. = 1.45VG parameter distribution and higher efficiency than Generation 3@VGE = 15V, IC = 39AE Industry standard

 5.1. Size:214K  international rectifier
 irg4pc50fd.pdf pdf_icon

IRG4PC50FPBF

PD 91469BIRG4PC50FD Fast CoPack IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Fast: Optimized for medium operatingVCES = 600V frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).VCE(on) typ. = 1.45V Generation 4 IGBT design provides tighterG parameter distribution and high

 5.2. Size:152K  international rectifier
 irg4pc50f.pdf pdf_icon

IRG4PC50FPBF

D I I TI T D T I T I T Features CFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Optimized for medium operatingVCES = 600V frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). Generation 4 IGBT design provides tighterVCE(on) typ. = 1.45VG parameter distribution and higher efficiency than Generation 3@VGE = 15V,

 5.3. Size:323K  international rectifier
 irg4pc50f-e.pdf pdf_icon

IRG4PC50FPBF

PD - 96168IRG4PC50F-EPbFFast Speed IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORFeatures C Optimized for medium operatingVCES = 600V frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). Generation 4 IGBT design provides tighterVCE(on) typ. = 1.45VG parameter distribution and higher efficiency than Generation 3@VGE = 15V, IC = 39AE Industry standar

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IKZ75N65EH5 , IKZ75N65ES5 , IRG4BC20KDPBF , IRG4BC20UDPBF , IRG4IBC10UDPBF , IRG4PC30FPBF , IRG4PC30UDPBF , IRG4PC40FDPBF , FGH60N60SFD , IRG4PC50SDPBF , IRG4PC50UDPBF , IRG4PC50UPBF , IRG4PF50WPBF , IRG4PH30KPBF , IRG4PH40KDPBF , IRG4PH50KDPBF , IRG4PH50UDPBF .

 

 
Back to Top

 


 
.