IRG4PC50UDPBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRG4PC50UDPBF  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 55 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRG4PC50UDPBF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG4PC50UDPBF даташит

 ..1. Size:687K  international rectifier
 irg4pc50udpbf.pdf pdf_icon

IRG4PC50UDPBF

PD -95185 IRG4PC50UDPbF UltraFast CoPack IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C UltraFast Optimized for high operating VCES = 600V frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode Generation 4 IGBT design provides tighter VCE(on) typ. = 1.65V parameter distribution and higher efficiency than G Generation

 4.1. Size:219K  international rectifier
 irg4pc50ud.pdf pdf_icon

IRG4PC50UDPBF

PD 91471B IRG4PC50UD UltraFast CoPack IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features Features Features Features Features UltraFast Optimized for high operating VCES = 600V frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode VCE(on) typ. = 1.65V Generation 4 IGBT design provides tighter G parameter distribution an

 5.1. Size:153K  international rectifier
 irg4pc50u.pdf pdf_icon

IRG4PC50UDPBF

D I I T I T D T I T I T Features C Features Features Features Features UltraFast Optimized for high operating VCES = 600V frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode Generation 4 IGBT design provides tighter VCE(on) typ. = 1.65V G parameter distribution and higher efficiency than Generation 3

 5.2. Size:635K  international rectifier
 irg4pc50upbf.pdf pdf_icon

IRG4PC50UDPBF

PD -95186 IRG4PC50UPbF UltraFast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features C UltraFast Optimized for high operating VCES = 600V frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode Generation 4 IGBT design provides tighter VCE(on) typ. = 1.65V G parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 @VGE = 15V, IC = 27A E Industr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRG4BC20KDPBF, IRG4BC20UDPBF, IRG4IBC10UDPBF, IRG4PC30FPBF, IRG4PC30UDPBF, IRG4PC40FDPBF, IRG4PC50FPBF, IRG4PC50SDPBF, SGT40N60FD2PN, IRG4PC50UPBF, IRG4PF50WPBF, IRG4PH30KPBF, IRG4PH40KDPBF, IRG4PH50KDPBF, IRG4PH50UDPBF, IRG4PSC71KDPBF, IRG7PH35UDPBF