Справочник IGBT. IRG4PH50UDPBF

 

IRG4PH50UDPBF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG4PH50UDPBF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 200
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 45
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.56
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 24
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 160
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 160
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IRG4PH50UDPBF

 

 

IRG4PH50UDPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:681K  infineon
 irg4ph50udpbf.pdf

IRG4PH50UDPBF IRG4PH50UDPBF

PD -95190IRG4PH50UDPbF UltraFast CoPack IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeatures UltraFast: Optimized for high operatingVCES = 1200V frequencies up to 40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant modeVCE(on) typ. = 2.78V New IGBT design provides tighterG parameter distribution and higher efficiency than previous gener

 4.1. Size:229K  international rectifier
 irg4ph50ud.pdf

IRG4PH50UDPBF IRG4PH50UDPBF

PD 91573AIRG4PH50UD UltraFast CoPack IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeatures UltraFast: Optimized for high operatingVCES = 1200V frequencies up to 40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant modeVCE(on) typ. = 2.78V New IGBT design provides tighterG parameter distribution and hi

 5.1. Size:137K  international rectifier
 irg4ph50u.pdf

IRG4PH50UDPBF IRG4PH50UDPBF

PD - 91574BIRG4PH50UUltra Fast Speed IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORFeatures CFeaturesFeaturesFeaturesFeatures UltraFast: Optimized for high operatingVCES = 1200V frequencies up to 40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode New IGBT design provides tighterVCE(on) typ. = 2.78VG parameter distribution and higher efficiency than previous gener

 5.2. Size:137K  infineon
 irg4ph50u.pdf

IRG4PH50UDPBF IRG4PH50UDPBF

PD - 91574BIRG4PH50UUltra Fast Speed IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORFeatures CFeaturesFeaturesFeaturesFeatures UltraFast: Optimized for high operatingVCES = 1200V frequencies up to 40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode New IGBT design provides tighterVCE(on) typ. = 2.78VG parameter distribution and higher efficiency than previous gener

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top