Справочник IGBT. IRGB4056DPBF

 

IRGB4056DPBF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGB4056DPBF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 52 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 25 nC
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для IRGB4056DPBF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGB4056DPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:353K  international rectifier
 irgb4056dpbf.pdf pdf_icon

IRGB4056DPBF

PD - 97188AIRGB4056DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeatures Low VCE (ON) Trench IGBT Technology CVCES = 600V Low switching losses Maximum Junction temperature 175 CIC = 12A, TC = 100C 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C 100% of the parts tested for 4X rated current (ILM)

 5.1. Size:351K  international rectifier
 irgb4056d.pdf pdf_icon

IRGB4056DPBF

PD - 97188AIRGB4056DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeatures Low VCE (ON) Trench IGBT Technology CVCES = 600V Low switching losses Maximum Junction temperature 175 CIC = 12A, TC = 100C 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C 100% of the parts tested for 4X rated current (ILM)

 7.1. Size:290K  international rectifier
 irgb4059dpbf.pdf pdf_icon

IRGB4056DPBF

PD - 97072AIRGB4059DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHCULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEVCES = 600VFeaturesIC = 4.0A, TC = 100C Low VCE (on) Trench IGBT Technology Low Switching LossesGtsc > 5s, Tjmax = 175C Maximum Junction temperature 175 C 5s SCSOAE Square RBSOAVCE(on) typ. = 1.75Vn-channel 100% of The Parts Tested for 4X Rat

 7.2. Size:290K  international rectifier
 irgb4059d.pdf pdf_icon

IRGB4056DPBF

PD - 97072AIRGB4059DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHCULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEVCES = 600VFeaturesIC = 4.0A, TC = 100C Low VCE (on) Trench IGBT Technology Low Switching LossesGtsc > 5s, Tjmax = 175C Maximum Junction temperature 175 C 5s SCSOAE Square RBSOAVCE(on) typ. = 1.75Vn-channel 100% of The Parts Tested for 4X Rat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRG4PH30KPBF , IRG4PH40KDPBF , IRG4PH50KDPBF , IRG4PH50UDPBF , IRG4PSC71KDPBF , IRG7PH35UDPBF , IRG7PH35UD-EP , IRG7PH42UDPBF , IKW50N60T , IRGB4620DPBF , IRGIB4620DPBF , IRGP4620DPBF , IRGS4620DPBF , IRGB4630DPBF , IRGIB4630DPBF , IRGP4630DPBF , IRGS4630DPBF .

History: 2MBI200S-120 | IXSR40N60BD1 | IXGH36N60B3 | CM1400DU-24NF | IKW03N120H2 | NCE75TD120VT | IXGK120N120B3

 

 
Back to Top

 


 
.