IRGB4056DPBF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRGB4056DPBF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 140
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 24
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.55
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 17
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 52
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 25
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для IRGB4056DPBF
IRGB4056DPBF Datasheet (PDF)
irgb4056dpbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 97188AIRGB4056DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeatures Low VCE (ON) Trench IGBT Technology CVCES = 600V Low switching losses Maximum Junction temperature 175 CIC = 12A, TC = 100C 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C 100% of the parts tested for 4X rated current (ILM)
irgb4056d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 97188AIRGB4056DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeatures Low VCE (ON) Trench IGBT Technology CVCES = 600V Low switching losses Maximum Junction temperature 175 CIC = 12A, TC = 100C 5 S short circuit SOA Square RBSOAG tSC 5s, TJ(max) = 175C 100% of the parts tested for 4X rated current (ILM)
irgb4059dpbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 97072AIRGB4059DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHCULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEVCES = 600VFeaturesIC = 4.0A, TC = 100C Low VCE (on) Trench IGBT Technology Low Switching LossesGtsc > 5s, Tjmax = 175C Maximum Junction temperature 175 C 5s SCSOAE Square RBSOAVCE(on) typ. = 1.75Vn-channel 100% of The Parts Tested for 4X Rat
irgb4059d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 97072AIRGB4059DPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHCULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEVCES = 600VFeaturesIC = 4.0A, TC = 100C Low VCE (on) Trench IGBT Technology Low Switching LossesGtsc > 5s, Tjmax = 175C Maximum Junction temperature 175 C 5s SCSOAE Square RBSOAVCE(on) typ. = 1.75Vn-channel 100% of The Parts Tested for 4X Rat
Другие IGBT... IRG4PH30KPBF , IRG4PH40KDPBF , IRG4PH50KDPBF , IRG4PH50UDPBF , IRG4PSC71KDPBF , IRG7PH35UDPBF , IRG7PH35UD-EP , IRG7PH42UDPBF , IKW30N60H3 , IRGB4620DPBF , IRGIB4620DPBF , IRGP4620DPBF , IRGS4620DPBF , IRGB4630DPBF , IRGIB4630DPBF , IRGP4630DPBF , IRGS4630DPBF .
![IRGB4056DPBF](https://alltransistors.com/images/us.png)
![IRGB4056DPBF](https://alltransistors.com/images/es.png)
![IRGB4056DPBF](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ