Справочник IGBT. IRGSL4B60KD1PBF

 

IRGSL4B60KD1PBF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGSL4B60KD1PBF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 63
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 11
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 18
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 25
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 12
   Тип корпуса: TO262

 Аналог (замена) для IRGSL4B60KD1PBF

 

 

IRGSL4B60KD1PBF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:437K  infineon
 irgb4b60kd1pbf irgs4b60kd1pbf irgsl4b60kd1pbf.pdf

IRGSL4B60KD1PBF IRGSL4B60KD1PBF

PD - 95616AIRGB4B60KD1PbFIRGS4B60KD1PbFIRGSL4B60KD1PbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE CVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.IC = 7.6A, TC=100C 10s Short Circuit Capability.G Square RBSOA.tsc > 10s, TJ=150C Positive VCE (on) Temperature Coefficient.E Maximum Junction Temperatu

 2.1. Size:442K  international rectifier
 irgsl4b60kd1.pdf

IRGSL4B60KD1PBF IRGSL4B60KD1PBF

PD - 94607BIRGB4B60KD1IRGS4B60KD1IRGSL4B60KD1INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE CVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.IC = 7.6A, TC=100C 10s Short Circuit Capability.G Square RBSOA.tsc > 10s, TJ=150C Positive VCE (on) Temperature Coefficient.E Maximum Junction Temperature rated

 4.1. Size:299K  international rectifier
 irgsl4b60k.pdf

IRGSL4B60KD1PBF IRGSL4B60KD1PBF

PD - 94633AIRGB4B60KIRGS4B60KIRGSL4B60KINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORFeaturesCVCES = 600V Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. 10s Short Circuit Capability.IC = 6.8A, TC=100C Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient.G Maximum Junction Temperature rated at 175C. tsc > 10s, TJ=150CEVCE(on) typ. = 2.1VBenefits

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top