Справочник IGBT. IRGIB15B60KD1P

 

IRGIB15B60KD1P - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGIB15B60KD1P
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 52
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 19
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 25
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 100
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 56
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRGIB15B60KD1P

 

 

IRGIB15B60KD1P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:382K  infineon
 irgib15b60kd1p.pdf

IRGIB15B60KD1P IRGIB15B60KD1P

PD- 94914IRGIB15B60KD1PINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.IC = 12A, TC=100C Low Diode VF. 10s Short Circuit Capability.G Square RBSOA.tsc > 10s, TJ=150C Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. Positive VCE (on) Temperature Coeffici

 1.1. Size:282K  international rectifier
 irgib15b60kd1.pdf

IRGIB15B60KD1P IRGIB15B60KD1P

PD- 94599AIRGIB15B60KD1INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.IC = 12A, TC=100C Low Diode VF. 10s Short Circuit Capability.G Square RBSOA.tsc > 10s, TJ=150C Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. Positive VCE (on) Temperature Coeffici

 8.1. Size:384K  international rectifier
 irgib10b60kd1.pdf

IRGIB15B60KD1P IRGIB15B60KD1P

PD-94576AIRGIB10B60KD1INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.IC = 10A, TC=100C Low Diode VF. 10s Short Circuit Capability.G Square RBSOA.tsc > 10s, TJ=150C Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. Positive VCE (on) Temperature Coefficie

 8.2. Size:392K  infineon
 irgib10b60kd1p.pdf

IRGIB15B60KD1P IRGIB15B60KD1P

IRGIB10B60KD1PINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHCULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.IC = 10A, TC=100C Low Diode VF. 10s Short Circuit Capability.G Square RBSOA.tsc > 10s, TJ=150C Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. Positive VCE (on) Temperature Coefficient.E

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top