IRGP35B60PDPBF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRGP35B60PDPBF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 308 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 6 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 265 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 160 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IRGP35B60PDPBF
IRGP35B60PDPBF Datasheet (PDF)
irgp35b60pdpbf.pdf
SMPS IGBT PD - 95329IRGP35B60PDPbFWARP2 SERIES IGBT WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEC VCES = 600VVCE(on) typ. = 1.85VApplications@ VGE = 15V IC = 22A Telecom and Server SMPS PFC and ZVS SMPS Circuits Uninterruptable Power SuppliesEquivalent MOSFETG Consumer Electronics Power SuppliesParameters Lead-FreeRCE(on) typ. = 84mEFeaturesID (FET
auirgp35b60pd.pdf
PD - 97675AUTOMOTIVE GRADEAUIRGP35B60PDWARP2 SERIES IGBT WITHC VCES = 600VULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEVCE(on) typ. = 1.85VFeatures@ VGE = 15V IC = 22A NPT Technology, Positive Temperature Coefficient Lower VCE(SAT)Equivalent MOSFET Lower Parasitic CapacitancesG Minimal Tail CurrentParameters HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack DiodeRCE(on)
irgp35b60pd.pdf
PD - 94623BSMPS IGBTIRGP35B60PDWARP2 SERIES IGBT WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEC VCES = 600VVCE(on) typ. = 1.85VApplications@ VGE = 15V IC = 22A Telecom and Server SMPS PFC and ZVS SMPS Circuits Uninterruptable Power SuppliesEquivalent MOSFETG Consumer Electronics Power SuppliesParameters RCE(on) typ. = 84mEFeaturesID (FET equivalent) = 35
auirgp35b60pd-e.pdf
PD - 97619AUTOMOTIVE GRADEAUIRGP35B60PD-EWARP2 SERIES IGBT WITHCVCES = 600VULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEVCE(on) typ. = 1.85VFeatures@ VGE = 15V IC = 22A NPT Technology, Positive Temperature Coefficient Lower VCE(SAT)Equivalent MOSFET Lower Parasitic CapacitancesGParameters Minimal Tail CurrentRCE(on) typ. = 84m HEXFRED Ultra Fast Soft-Recov
irgp35b60pd-e.pdf
PD - 96169SMPS IGBTIRGP35B60PD-EPWARP2 SERIES IGBT WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEC VCES = 600VVCE(on) typ. = 1.85VApplications@ VGE = 15V IC = 22A Telecom and Server SMPS PFC and ZVS SMPS Circuits Uninterruptable Power SuppliesEquivalent MOSFETG Consumer Electronics Power SuppliesParameters Lead-FreeRCE(on) typ. = 84mEFeaturesID (FET
Другие IGBT... IRGP4630DPBF , IRGS4630DPBF , IRGB4B60KD1PBF , IRGS4B60KD1PBF , IRGSL4B60KD1PBF , IRGIB10B60KD1P , IRGIB15B60KD1P , IRGP20B60PDPBF , CRG75T60AK3HD , IRGP4062DPBF , IRGB4062DPBF , IRGP4062D-EPBF , IRGP4063DPBF , IRGP4063PBF , IRGP4066DPBF , IRGP4066D-EPBF , IRGP4068DPBF .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2