Справочник IGBT. IRGP35B60PDPBF

 

IRGP35B60PDPBF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGP35B60PDPBF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 308 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 6 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 265 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 160 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP35B60PDPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:384K  international rectifier
 irgp35b60pdpbf.pdf pdf_icon

IRGP35B60PDPBF

SMPS IGBT PD - 95329IRGP35B60PDPbFWARP2 SERIES IGBT WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEC VCES = 600VVCE(on) typ. = 1.85VApplications@ VGE = 15V IC = 22A Telecom and Server SMPS PFC and ZVS SMPS Circuits Uninterruptable Power SuppliesEquivalent MOSFETG Consumer Electronics Power SuppliesParameters Lead-FreeRCE(on) typ. = 84mEFeaturesID (FET

 3.1. Size:290K  international rectifier
 auirgp35b60pd.pdf pdf_icon

IRGP35B60PDPBF

PD - 97675AUTOMOTIVE GRADEAUIRGP35B60PDWARP2 SERIES IGBT WITHC VCES = 600VULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEVCE(on) typ. = 1.85VFeatures@ VGE = 15V IC = 22A NPT Technology, Positive Temperature Coefficient Lower VCE(SAT)Equivalent MOSFET Lower Parasitic CapacitancesG Minimal Tail CurrentParameters HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack DiodeRCE(on)

 3.2. Size:353K  international rectifier
 irgp35b60pd.pdf pdf_icon

IRGP35B60PDPBF

PD - 94623BSMPS IGBTIRGP35B60PDWARP2 SERIES IGBT WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEC VCES = 600VVCE(on) typ. = 1.85VApplications@ VGE = 15V IC = 22A Telecom and Server SMPS PFC and ZVS SMPS Circuits Uninterruptable Power SuppliesEquivalent MOSFETG Consumer Electronics Power SuppliesParameters RCE(on) typ. = 84mEFeaturesID (FET equivalent) = 35

 3.3. Size:396K  international rectifier
 auirgp35b60pd-e.pdf pdf_icon

IRGP35B60PDPBF

PD - 97619AUTOMOTIVE GRADEAUIRGP35B60PD-EWARP2 SERIES IGBT WITHCVCES = 600VULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEVCE(on) typ. = 1.85VFeatures@ VGE = 15V IC = 22A NPT Technology, Positive Temperature Coefficient Lower VCE(SAT)Equivalent MOSFET Lower Parasitic CapacitancesGParameters Minimal Tail CurrentRCE(on) typ. = 84m HEXFRED Ultra Fast Soft-Recov

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: STGF10H60DF

 

 
Back to Top

 


 
.